FF4MR12W2M1HP_B111200 V CoolSiC™ MOSFET半桥模块 这款第一代1200 V、4 mΩEasyDUAL™ 2BCoolSiC™ MOSFET半桥模块采用集成的NTC温度传感器和PressFIT压接技术。 特征描述 同类最佳封装:高度为12 mm 先进的宽禁带(WBG)半导体材料 非常低的模块杂散电感 ...
ParametricsFF4MR12W2M1HP_B11 Applications ESS, EV Charger, Solar, UPS Configuration Half-bridge Dimensions (length) 62.8 mm Dimensions (width) 48 mm Features PressFIT, TIM Housing Easy 2B Qualification Industrial RDS (on) (@ Tj = 25°C) 4 mΩ Dokumente Loggen Sie sich bei ...