技术参数 额定功率 2250 W 耗散功率 2250 W 击穿电压(集电极-发射极) 1200 V 输入电容(Cies) 28nF @25V 额定功率(Max) 2250 W 工作温度(Max) 150 ℃ 工作温度(Min) -40 ℃ 耗散功率(Max) 2.25 kW 封装参数 安装方式 Screw 引脚数 11 封装 ...
参数信息 常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了! 参数参数值操作 商品目录 IGBT模块 配置 Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO 1200V 集电极—射极饱和电压 2.1V 在25 C的连续集电极电流 675A 栅极—射极漏泄电流 400nA 功率 2250W 封装...
FF450R12ME4详细参数 FF450R12ME4价格 其他说明 价格有优势,FF450R12ME4国内现货当天可发货。 联系微信:18028728293(发型号咨询) Q:16845050
商品参数 品牌: INFINEON 封装: 标准封装 批号: 20+ 数量: 300 制造商: Infineon 产品种类: IGBT模块 RoHS: 是 配置: Dual 集电极—射极饱和电压: 2.1V 在25C的连续集电极电流: 675A 栅极—射极漏泄电流: 400nA Pd-功率耗散: 2250W 最小工作温度: -40C 最大工作温度: +150C 安...
产品型号参数说明封装形式 F4-25R12NS425A,1200VEconoPack1 F4-50R12KS450A,1200VEconoPack2 F4-50R12MS450A,1200V,螺栓型EconoDual2 F4-75R12KS475A,1200VEconoPack2 F4-75R12MS475A,1200V,螺栓型EconoDual2 F4-100R12KS4100A,1200VEconoPack3 ...
FF450R12ME4技术参数:•Ic(A),Tc=80℃450•Vce(sat),Max(V)2.1•Ton(us)0.22•Toff(us)0.62•Rth(j-c),K/W0.066•Pc(W)2250•封装EconoDual3•电路结构半桥性能概要:•低V(CESAT)•T(VJOP)=150℃•标准优点:•紧凑型模块•容易和最可靠的
技术参数 品牌: Infineon 型号: FF450R12ME4 批号: 23+ 数量: 2250 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 是 配置: Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.1 V 在25 C的连续集电极电流: 675 A 栅极—射极漏泄电流: 400 nA Pd-功率耗散: 2250 W 最小工作温度:...
规格参数产品描述 品牌 英飞凌 型号 FF450R12ME4 公司性质 私营企业 所在区域 江苏苏州市 所在行业 IGBT/模块 苏州银邦电子技有限公司: 代理功率半导体产品及配套器件,IGBT以及配套驱动网上供应商。公司凭借多年的从业经验、不懈的开拓精神及良好的商业信誉,在电力电子行业树立了良好的企业形象,同时与多家电力...
技术参数 品牌: INFINEON/英飞凌 型号: FF450R12ME4 批号: 20+ 封装: MODULE 数量: 65200 QQ: 320966349 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: 是 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Dual 集电极—发射极最大电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.1 V 在25 C的连续集电极电流: 675 A 栅极...