INFINEON FF200R12KT4 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module查看详情 AG-62MM-1 99周 在产 2002年 ¥455.821 数据手册(40) 器件3D模型 规格参数 反馈错误 by FindIC.com FF200R12KT4 全球供应商 全球供应商 ...
Infineon (英飞凌) IGBT晶体管 INFINEON FF200R12KT4HOSA1 晶体管, IGBT阵列&模块, 双NPN, 320 A, 1.75 V, 1.1 kW, 1.2 kV, Module查看详情 62MM-1 20周 在产 2002年 ¥241.767 数据手册(40) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (3) 反馈错误
Infineon-FF200R12KT4中文数据手册.pdf,技术信息/TechnicalInformation IGBT-模块 FF200R12KT4 IGBT-modules 62mmC-SerienModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undoptimierterEmitterControlledDiode 62mmC-seriesmodulewithfasttrench/fieldstopIG
制造商INFINEON [Infineon Technologies AG] 网页http://www.infineon.com 标志 功能描述62mmC-SerienModulmitschnellemTrench 类似零件编号 - FF200R12KT4 制造商部件名数据表功能描述 Infineon Technologies A...FF200R12KT3 435Kb/8P62mm C-Serien Modul mit schnellem Trench ...
制造商Infineon(英飞凌) 唯样编号A-FF200R12KT4 供货自营 无铅情况/RoHs无铅/符合RoHs 描述 AG-62MM-1 -40°C ~ 150°C 数据手册发送到邮箱 PDF资料下载 FF200R12KT4.pdf 参数信息常见问题 参数有误? 技巧:勾选主要参数,留空一些可替代的参数,点击查看相似商品,即可快速找到替代品了!
FF200R12KT4 Datasheet PDF Infineon INFINEON FF200R12KT4 IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 320A, 1.75V, 1.1kW, 1.2kV, Module FF200R12KT4HOSA1 Datasheet PDF Infineon IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 320A, 1.75V, 1.1kW, 1.2kV, Module Data...
厂商: EUPEC(英飞凌) 封装: Module 描述: FF200R12KT4 数据手册: 下载FF200R12KT4.pdf 立即购买 FF200R12KT4 数据手册 切换侧栏 查找 上一页 下一页 / 8 演示模式打开当前在看 缩小 放大 自动缩放实际大小适合页面适合页宽50%75%100%125%150%200%300%400% ...
属性参数值 商品目录IGBT管/模块 IGBT类型FS(场截止) 集射极击穿电压(Vces)1.2kV 集电极电流(Ic)320A 属性参数值 功率(Pd)1.1kW 栅极阈值电压(Vge(th)@Ic)2.15V@15V,200A 输入电容(Cies@Vce)14nF@25V 工作温度-40℃~+150℃@(Tj) 数据手册PDF ...
品牌名称 Infineon(英飞凌) 商品型号 FF200R12KT4 商品编号 C541002 包装方式 托盘 商品毛重 323克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录IGBT管/模块 IGBT类型IGBT模块 集射极击穿电压(Vces)1.2kV 集电极电流(Ic)320A 耗散功率(Pd)1.1kW ...
Infineon-FF100R12RT4 中英文数据手册.pdf Infineon-FF100R12RT4-中英文数据手册 集电极-发射极电压 1200V 连续集电极直流电流 100A 上传者:catherinaced时间:2020-04-27 PIXRACER-R12.pdf PIXRACER R12电路图,使用STM32F427处理器,供大家学习参考… 上传者:acatesyan时间:2019-11-15 ...