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型号 FF100R12KS4 用途 FM/调频 封装外形 螺丝型 材料 GE-N-FET锗N沟道 相数 多相 控制方式 脉冲频率调制(PFM) 主电路形式 全桥式 频率 高频 加工定制 否 导电沟道 N沟道 导电方式 增强型 极间电容 详询pF 开启电压 1200V 夹断电压 1200V 最大漏极电流 100A 低频噪声系数 详询dB...
型号 FF100R12KS4 封装 标准封装 批号 21+ 规格 齐全 种类 IGBT 颜色 白色 用途 多种设备使用 安装风格 Stud 加工定制 否 可售卖地 全国 Rohs 是 额定电压 1200V 额定电流 100A 数量 600 QQ 2766094696 品牌 英飞凌Infineon 祥盛芯城(上海)半导体有限公司,专业代理及经销品牌功率器件:英飞凌...
询价产品: FF100R12KS4 新能源驱动IGBT 双向可控硅 英飞凌 *联系信息: 产品信息 联系方式 品牌 英飞凌/INFINEON 型号 FF100R12KS4 用途 其他 封装外形 其他 材料 其他 相数 其他 控制方式 其他 主电路形式 其他 频率 其他 极间电容 详询pF 开启电压 1200V 夹断电压 1200V 最大漏极电流 100A 低...
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型号 FF100R12KS4 技术参数 品牌: Infineon/英飞凌 型号: FF100R12KS4 封装: 原厂封装 批号: 新年份 数量: 500 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 RoHS: N 配置: Dual 集电极—射极饱和电压: 3.2 V 栅极—射极漏泄电流: 400 nA Pd-功率耗散: 780 W 封装/ 箱体: 62 mm 最小工作温度: - 40...