FDV301N 概述 SOT-23 FDV301N 数据手册 通过下载FDV301N数据手册来全面了解它。这个PDF文档包含了所有必要的细节,如产品概述、功能特性、引脚定义、引脚排列图等信息。 PDF下载 SMD Type Product specification FDV301N General Description Features 25 V, 0.22 Acontinuous, 0.5 A Peak. ...
FDV301N Rev.F 1 下载PDF FDV301N 价格&库存 -> 查询更多价格&库存 型号:FDV301N 品牌:ON 封装:SOT-23 描述:FD V301N Series N-Channel 25 V 4 Ohm Surface Mount Digital FET - SOT-23-3 国内价格 香港价格 3000+0.265733000+0.03197 9000+0.259279000+0.03120 15000+0.2565015000+0.03086 60000+0.2491260000+...
部件名FDV301N 下载FDV301N下载 文件大小97.95 Kbytes 页5 Pages 制造商FAIRCHILD [Fairchild Semiconductor] 网页http://www.fairchildsemi.com 标志 功能描述DigitalFET,N-Channel General Description This N-Channel logic level enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchilds proprietary, high ...
Fairchild(飞兆/仙童)FDV301N参数(SOT-23 N-Channel 25V 220mA 5ohms 9.5pF,封装:SOT-23-3),FDV301N中文资料和引脚图及功能表说明书PDF下载(8页,293KB),您可以在FDV301NMOS管规格书Datasheet数据手册中,查到FDV301N引脚图及功能的应用电路图引脚电压和使用方法
数据: FDV301Ndatasheet.pdf 产品信息此N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用了飞兆半导体专有的高单元密度、DMOS技术生产。 这种密度非常高的工艺是专为最大限度地降低导通阻抗而定制的。 该器件特别为低电压应用设计,以替代数字晶体管。 由于不需要偏压电阻,这一N沟道FET可取代数个具有不同偏压电阻值的数字晶体管...
FDV301N PDF技术资料下载 FDV301N 供应信息 Warning: Undefined variable $des in /www/wwwroot/website_ic37/pdf.ic37.com/pdf/pdf/pdf_view_page.php on line 131 芯三七
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数据表 DMG301NU-7.pdf RoHs 否 无铅/符合RoHs 规格信息 功率 350mW(Ta) - Rds On(Max)@Id,Vgs 4 欧姆 @ 400mA,4.5V 4Ω@400mA,4.5V 漏源极电压Vds 25V 25V Pd-功率耗散(Max) 350mW(Ta) 320mW(Ta) 栅极电压Vgs ±8V 8V FET类型 N-Channel N-Channel 封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT...
March 1999 FDV301N Digital FET , N-Channel General Description Features FDV301N Rev.F This N-Channel logic level enhancement mode field effect transistor is produced using Fairchild's proprietary, high cell density, DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize...
PMA-5451+ 电子元器件 N/A PDF 资料 数据手册 规格书 ¥ 0.99 商品描述 价格说明 联系我们 咨询底价 品牌: ON 封装: N/A 批号: 1706+ 数量: 586 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: SOT-23-3 通道数量: 1 Channel 晶体管...