FDS4435A 场效应管 P沟道9A/30V 贴片SOP8 电源管理芯片 现货 深圳市集天科技有限公司 10年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥6.50 全新原装 FDS4435A 封装:SOP-8 P沟道 9A/30V 电源管理芯片 深圳市吉翔电子有限公司 6年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.50 全新...
FDS4435A P沟道场效应管MOS管 30V 9A 贴片SOP-8 全新原装进口 深圳市广鸿发科技有限公司 10年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.00 FDS4435A-NL FDS4435A SOP-8 P沟道MOS场效应管全系列现货供应 深圳市吴优电子有限公司 7年 月均发货速度: 暂无记录 广东 深圳市 ¥0.80 全...
FDS4435A由VBsemi设计生产。FDS4435A封装/规格:配置/单路:晶体管类型/MOSFET:功率耗散/2.5W:充电电量/13nC:反向传输电容Crss/145pF:栅极源极击穿电压/±20V:击穿电压/30V:极性/P-沟道:元件生命周期/Active:存储温度/-55℃~+150℃:引脚数/8Pin:高度/1.75mm:长x宽/尺寸/5.00 x 4.00mm:原产国家/China Taiwan...
全新FDS4435A场效应管 P沟道 9A/30V 电源管理芯片 贴片 SOP-8 深圳市万德丰科电子有限公司5年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥1.00 FDS4435ASOP8 全新 现货 深圳市福田区源胜科电子商行1年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥1.10 ...
商品型号FDS4435A 商品编号C3279905 商品封装SOIC-8 包装方式 编带 商品毛重 0.215克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个P沟道 漏源电压(Vdss) 30V 连续漏极电流(Id) - 导通电阻(RDS(on)) 17mΩ@10V,9A 耗散功率(Pd) 2.5W 属性参数值 阈值电压...
FDS4435A 由VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FDS4435A 价格参考￥ 1.2673 。 VBsemi FDS4435A 封装/规格: SOP-8, MOS管 P-Channel VDS=30V VGS=±20V ID=7A RDS(ON)=24mΩ@4.5V SOP-8。你可以下载 FDS4435A 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有...
品牌名称 TECH PUBLIC(台舟) 商品型号 FDS4435A 商品编号 C5122021 商品封装 SOIC-8 包装方式 编带 商品毛重 0.18克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 漏源电压(Vdss)30V 连续漏极电流(Id)12A 导通电阻(RDS(on))9.5mΩ@10V ...
FDS4435A-NL-VB 由VBsemi 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 等渠道进行代购。 FDS4435A-NL-VB 价格参考￥ 1.6962 。 VBsemi FDS4435A-NL-VB 封装/规格: SO-8, MOSFETs P沟道 耐压:30V 电流:9A SO-8。你可以下载 FDS4435A-NL-VB 中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有 MOSFETs...
FDS4435A 数据表 (HTML) - Fairchild Semiconductor类似零件编号 - FDS4435A 制造商 部件名 数据表 功能描述 Fairchild Semiconductor FDS4435A 264Kb / 5P P-Channel Logic Level PowerTrench?줞OSFET VBsemi Electronics Co.,... FDS4435A-NL 1,004Kb / 9P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET More results...
FDS4435A 数据表 (HTML) - Fairchild Semiconductor类似零件编号 - FDS4435A 制造商 部件名 数据表 功能描述 Fairchild Semiconductor FDS4435A 264Kb / 5P P-Channel Logic Level PowerTrench?줞OSFET VBsemi Electronics Co.,... FDS4435A-NL 1,004Kb / 9P P-Channel 30-V (D-S) MOSFET More results...