(×10 -6 ひずみ/mm) 非直線性 許容温度範囲 FDP-10A 10mm 約10000×10 -6 ひずみ 1000 0.5%RO -10～+80℃ FDP-25A 25mm 約15000×10 -6 ひずみ 600 FDP-50A 50mm 約15000×10 -6 ひずみ 300 FDP-100A 100mm 約15000×10 -6 ひずみ 150 適用測定器 通常は差動トランス式専用測定器や搬送波...
FDP5645和STD6N95K5,STD15NF10T4的区别:FDP5645 TO-220 N-Channel 60V 80A 9.5mohms;STD6N95K5 TO-252 N-Channel 950V 9A,STD15NF10T4 TO-252 N-Channel 100V 23A 65mohms。FDP5645和STD6N95K5;STD15NF10T4哪个好:FDP5645 60V N沟道PowerTrench MOSFET的 60V N-Channel PowerTrench MOSFET;STD6N95...
IRFP260NPBF 英飞凌 TO-247 N沟道200V 50A 直插MOSFET场效应管 IRFP260NPBF 8912 INFINEON英飞凌 TO-247AC 23+ ￥1.0000元1~-- 个 深圳市如愿电子有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 场效应管 HZX AP300N08MP封装TO-247-3LMOS管AP300N08MP电子元器件TO-247-3LAP...
FDP3652,50A-60V,原装,假一赔十,特价供应仙童品牌场效应管 价格:5.00元更多产品优惠价> 最小采购量:5 主营产品:场效应管,MOSFET,MOS管,IGBT,IGBT单管,IGBT模块,快恢复,肖特基,集成电路,IC,IPM智能模块,整流器,光耦,单片机 供应商:深圳市福田区凌通伟业电子经营部 更多优质供应商> 所在地:深圳市福田区...
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FQP33N10 描述 N沟道逻辑电平的PowerTrench MOSFET的30V , 40A , 15米欧姆 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 30V, 40A, 15m Ohm FDP8878 更多代替型号 ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP6N90C, 6 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装 ...
FDP2710-F085由onsemi(安森美)设计生产,立创商城现货销售。FDP2710-F085价格参考￥6.87。onsemi(安森美) FDP2710-F085参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)):38mΩ@10V,50A;耗散功率(Pd):403W;阈值电压(Vgs(th))
FDP8447L是一款N沟道MOSFET(场效应晶体管),其应用场景和参数特点使其在各种电子设备中广泛使用。以下是关于FDP8447L的详细介绍。 一、应用场景: 1. 电源管理系统:FDP8447L常用于电源管理系统,如DC-DC转换器、开关电源和不间断电源(UPS)等。其低导通电阻和高电流处理能力使其在这些应用中能够有效地降低功耗并提高...
FDP150N10A-F102 ONSEMI N 沟道,PowerTrench® MOSFET,100V,50A,15mΩ 获取价格 FDP15N40 FAIRCHILD N-Channel MOSFET 400V, 15A, 0.3Ω 获取价格 FDP15N40 ONSEMI 功率MOSFET,N 沟道,UniFETTM,400V,15A,300mΩ,TO-220 获取价格 FDP15N50 FAIRCHILD 15A, 500V, 0.38 Ohm, N-Channel SMPS Power...
FDP2710由onsemi(安森美)设计生产,立创商城现货销售。FDP2710价格参考￥9.96。onsemi(安森美) FDP2710参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):50A;导通电阻(RDS(on)):42.5mΩ@10V,25A;耗散功率(Pd):260W;阈值电压(Vgs(th)):4V;栅极电荷