FDMS6681Z-VB 99999 VBsemi/微碧半导体 DFN8(5X6) 24+ ￥4.8000元1~-- PCS 深圳市微碧半导体有限公司 4年 查看下载 立即订购 查看电话 QQ联系 fdms6681z 采购价格-原装进口现货 佳航芯城 -- -- -- -- 面议 深圳佳航芯城科技有限公司 -- 立即询价 ON FDMS6681Z-P 42 21+ ...
型号: FDMS6681Z 封装: Power 56 批号: 新年份 数量: 250000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Power-56-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 21.1 A Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms Vg...
型号: FDMS6681Z 封装: SMD 批号: 20+ 数量: 10000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Power-56-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 21.1 A Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms Vgs - 栅极...
FDMS6681Z ON Semiconductor (安森美) MOS管 PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench...
全新原装FDMS6681ZPQFN-8封装单 FETMOSFET晶体管 深圳市畅芯微科技有限公司4年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥4.48 原装FDMS6681Z封装 PQFN-8 场效应功率芯片 P沟道 MOS管 全新 深圳市创豪芯科技有限公司2年 月均发货速度:暂无记录
FDMS6681Z是一款-30V P沟道PowerTrench® MOSFET, 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。这款中等电压功率MOSFET经过优化, 结合低栅极电荷 (QG), 小反向恢复电荷 (Qrr)和软反向恢复主体二极管, 为AC/DC电源中的同步整流提供快速开关。采用屏蔽栅结构, 可提供电荷平...
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FDMS6681Z 产品详情 技术参数 品牌: FAIRCHILD 型号: FDMS6681Z 批号: 19+ 封装: QFN 数量: 36968 QQ: 1033287247 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 技术: Si 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Power-56-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id...
FDMS6681Z是一款-30V P沟道PowerTrench® MOSFET, 设计用于最大限度地降低导通电阻并保持较低的栅极电荷, 以实现卓越的开关性能。这款中等电压功率MOSFET经过优化, 结合低栅极电荷 (QG), 小反向恢复电荷 (Qrr)和软反向恢复主体二极管, 为AC/DC电源中的同步整流提供快速开关。采用屏蔽栅结构, 可提供电荷平衡。采...
型号 FDMS6681Z 技术参数 品牌: ON/安森美 型号: FDMS6681Z 封装: POWER56 批号: 20+ 数量: 10000 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: SMD/SMT 封装/ 箱体: Power-56-8 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: P-Channel Vds-漏源极击穿电压: 30 V Id-连续漏极电流: 21.1 A...