FDMC3612 场效应管 ON/安森美 优势代理 封装QFN 批次22+ FDMC3612 9999 安森美 QFN 22+ ￥0.5000元1~-- 个 深圳市泽晟半导体科技有限公司 2年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 FDMC3612-L701 onsemi安森美 SO-8FL 24+ 集成电路ic 车规芯片中 FDMC3612-L701 ...
FDMC3612概述 FDMC3612是一款N沟道MOSFET,采用先进的Power Trench®工艺生产,该工艺经过特别定制,可最大限度地降低通态电阻,同时保持卓越的开关性能。 FDMC3612中文参数 通道类型 N 最大功率耗散 35 W 最大连续漏极电流 16 A 晶体管配置 单 最大漏源电压 100 V 最大栅源电压 -20 V、+20 V 封装类型...
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC3612, 16 A, Vds=100 V, 8引脚 MLP封装查看详情 MLP 在产 2006年 ¥2.321 数据手册(4) 器件3D模型 规格参数 更多代替型号 价格库存 规格参数 数据手册 FDMC3612 全球供应商 全球供应商
FDMC3612询价为准 深圳市福田区新亚洲电子市场二期中元伟业电子商行16年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 ¥0.10 安森美 NJW21194G BSS123L SMMBTA56LT3G NCP51510MNTWGFDMC3612 深圳市国光瑞科技有限公司2年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市龙岗区 ...
FDMC3612-L701 577Kb/10PMOSFET ??N-Channel, POWERTRENCH February, 2020 ??Rev. 4 More results 类似说明 - FDMC3612 制造商部件名数据表功能描述 ON SemiconductorFDD9410-F085 706Kb/7PN-Channel Power Trench짰 MOSFET August-2017, Rev3 Fairchild SemiconductorFDMC86260 ...
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FDMC3612是N沟道MOSFET,它是使用onsemi先进的POWERTRENCH工艺流程,专为最小化导通电阻,同时保持卓越的开关性能。 FDMC3612的引脚数目为8,安装类型为表面贴装,典型接通延迟时间为7.4ns,典型关断延迟时间为19ns,典型输入电容值为@Vds662pF@50V,典型栅极电荷为@Vgs14.4nC@10V,最大漏源电阻值为212mΩ。
型号 FDMC3612 价格说明 价格:商品在爱采购的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准,如用户在爱采购上完成线上购买,则最终以订单结算页价格为准。 抢购价:商品参与营销活动的活动价格,也可...
型号: FDMC3612-L701 品牌: PIN to PIN MOSFETs 数据手册 --- --- --- 询价 FDMC3612 由ON 设计生产,在 华秋商城 现货销售,并且可以通过 digikeyarrowelement14ickeyfuture 等渠道进行代购。 FDMC3612 价格参考￥ 8.7164 。 ON FDMC3612 封装/规格: PowerWDFN8, MOSFET N-CH 100V 8-MLP。你可以下...
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