产品类型 MOSFET 上升时间 186ns 工厂包装数量 375 子类别 MOSFETs 典型关闭延迟时间 202ns 典型接通延迟时间 63ns 单位重量 6.756g 可售卖地 北京;天津;河北;山西;内蒙古;辽宁;吉林;黑龙江;上海;江苏;浙江;安徽;福建;江西;山东;河南;湖北;湖南;广东;广西;海南;重庆;四川;贵州;云南;西藏;陕西;甘肃...
ON 场效应管 FDL100N50F MOSFET N-CH 500V 100A TO-264 FDL100N50F 40128 ON NA 21+ ￥1.0000元>=1 个 深圳市信德尔电子技术有限公司 5年 查看下载 立即询价 查看电话 QQ联系 FDL100N50F 场效应管 ON/安森美 批次24+ FDL100N50F ...
产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-264-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 500 V Id-连续漏极电流: 100 A Rds On-漏源导通电阻: 43 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 最小工作温度: - 55 C 最大工作温度: + 150 C Pd-功...
UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET...
ON/安森美 场效应管 FDL100N50F MOSFET N-CH 500V 100A TO-264 价格 ￥1.00 ￥0.80 ￥0.70 起订量 100个起批 500个起批 1000个起批 货源所属商家已经过真实性核验 发货地 广东省 深圳市 所属类目 电子元器件;晶体管;其他晶体管 产品标签 FDL100N50F;ON/安森美;TO-264-3 获取底价 查看电话 在线...
FAIRCHILD/仙童 场效应管 FDL100N50F MOSFET UniFET 500V FDL100N50F 9999 仙童 TO3PL 17+ ￥100.0000元1~999 个 ￥99.0000元1000~-- 个 深圳市嘉丁实业有限公司 2年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 FDL100N50F 大功率三极管100A500V N沟道100N50全新 FSC -- ...
FDL100N50F 概述 功率MOSFET,N 沟道,UniFETTM,FRFET®,500 V,100 A,55 mΩ,TO-264 功率场效应晶体管 FDL100N50F 规格参数 是否无铅: 不含铅 生命周期: Active 包装说明: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99 HTS代码: 8541.29.00.95 Factory Lead Time: 9 ...
FDL100N50F MOSFET N-CH 500V 100A TO-264【实物拍摄】深圳现货 深圳市铭顺信电子有限公司17年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市福田区 fdl100n50f场效应管价格信息不够给力?没有找到优质fdl100n50f场效应管批发/采购信息?马上发布询价单 阿里巴巴为您找到36条fdl100n50f场效应管产品的详细参数,实时报价,价格...
产品族: 晶体管 - FET,MOSFET - 单个 系列: UniFET™ FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 500V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 100A(Tc) 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V 不同Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 55 毫欧 @ 50A,10V 不同Id 时 Vgs(th...
MOSFETsONFDL100N50F 数据: 配置: 单路 阈值电压 : 5V 晶体管类型 : N沟道 功率耗散 : 2.5KW 充电电量 : 238nC 栅极源极击穿电压 : ±30V 极性: N-沟道 元件生命周期 : Active 引脚数 : 3Pin 高度: 29.00mm 长x宽/尺寸 : 20.20 x 5.20mm 原产国家 : America 原始制造商 : ON Semiconductor ...