FDD86580-F085 规格参数 是否无铅: 不含铅 生命周期: Active 包装说明: SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 Reach Compliance Code: not_compliant Factory Lead Time: 47 weeks 风险等级: 1.5 雪崩能效等级(Eas): 24 mJ 外壳连接: DRAIN 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE 最小漏源击穿电压: 60 V 最大漏极电流...
品牌 tianguishengye 图文详情 本店推荐 原装FTSH-105-01-L-D全新(CONN HEADER VERT 10POS 1.27MM) ¥22.07 原装AML21FBA2AA全新(按钮 SPDT Momentary Lighted 1 Lamp) ¥160.66 原装PS1440P02BT全新(BUZZER PIEZO 3V 14MM TH) ¥1.05 原装3-1971800-2全新(CONN HEADER VERT 3POS 2.5MM) ¥1.6 原装...
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品牌名称onsemi(安森美) 商品型号 FDD86580-F085 商品编号 C903597 商品封装 TO-252 包装方式 编带 商品毛重 0.385克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)60V 连续漏极电流(Id)50A ...
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发货地 广东深圳 商品类型 电子元器件 、 集成电路(IC) 、 其他集成电路 商品关键词 FDD86580-F085、 ON 安森美 商品图片 商品参数 品牌: ON 安森美 数量: 5000 制造商: ON Semiconductor 系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench® FET 类型: N 通道 技术: MOSFET(金属氧化物) 25°C 时电流...
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