类似零件编号 - FDBL86066-F085 制造商 部件名 数据表 功能描述 ON Semiconductor FDBL86062-F085 507Kb / 8P N-Channel POWERTRENCH MOSFET March, 2019 ??Rev. 3 FDBL86063-F085 690Kb / 6P N-Channel Power Trench짰 MOSFET August-2017, Rev. 2 FDBL86063_F085 486Kb / 8P N-Channel Power ...
商品型号 FDBL86066-F085 商品编号 C605017 商品封装 HPSOF-8 包装方式 编带 商品毛重 0.92克(g) 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录场效应管(MOSFET) 类型1个N沟道 漏源电压(Vdss)100V 连续漏极电流(Id)185A 导通电阻(RDS(on))4.1mΩ@10V,80A ...
品牌 tianguishengye 图文详情 本店推荐 原装OPB390T51Z正品(SENSOR OPT SLOT PHOTOTRAN PCB MT) ¥50.0 原装76382-303LF全新(CONN HEADER R/A 3POS 2.54MM) ¥2.0 原装204532-0801正品(集管和线壳 - PLUS Rcpt Hsg 1.2 ¥2.57 原装RC2512FK-7W49R9L全新(贴片电阻 2512 49.9Ω ±1% 2W ± ¥0....
制造商产品型号:FDBL86066-F085 制造商:ON安森美半导体(ON Semiconductor,ONSEMI) 描述:MOSFET N-CH 100V 185A 8HPSOF 系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个 产品系列:PowerTrench? 零件状态:有源 FET类型:N 通道 技术:MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss):100V 25°C时电流-连续漏极(Id):185A(Tc) 驱动...
原装MMK473J3CE4AJ208G0正品(薄膜电容 47nF ±5% 26.50 ¥[1_7ij1w4tp#51#bGxsbGEzETFhM1ciEDALPEk9vgz8MEk7LAyqPl469jUONsA9jQz8NtEN/jFlMDcNwg22I6cMDz7TOTM03DwWOf0j1g==] 原装RXK101M1HBK-0811正品(直插铝电解电容 ±20% 50V - ¥[1_7ij1w4tp#51#HBwcHBFEtkV+fO9DtFP1UrpGsEkCTe9...
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购物车中还没有商品,赶紧选购吧 请登录免费注册 FDBL86066-F085 图像仅供参考,请参阅产品规格书 star收藏商品 数量国内价格 1+￥23.47890 合作库存海外代购 交货地: 1国内(含增税)交期(工作日):4-7个工作日 库存: 13512(10起订) 110(1起订)
FDBL86066-F085参数信息 暂无 其它信息 深圳市博浩通科技有限公司是一家有着12年电子元器件销售经验的公司,建立了遍布全球的供应商网络,代理品牌多达20余个,分销品牌多达60余个,可供应100多万种现货型号和1000多万种订货型号。 询价请联系朱小姐 电话:15989349634 ...
零件号别名 FDP075N15A_F102 单位重量 1.800g 可售卖地 全国 型号 FDP075N15A-F102 技术参数 品牌: ON/安森美 型号: FDP075N15A-F102 数量: 15818 制造商: ON Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 是 安装风格: Through Hole 封装/ 箱体: TO-220-3 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压:...