FDB120N10全新原装现货ON/安森美N沟道MOSFET场效应管封装D2PAK 深圳市芯钰同电子有限公司3年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥0.80 芯片FDB120N10场效应管 ON/安森美 封装TO263 批次21+批次24+ 深圳市诚研翔科技有限公司1年 月均发货速度:暂无记录 ...
品牌名称VBsemi(微碧半导体) 商品型号FDB120N10-VB 商品编号C20755493 商品封装TO-263 包装方式 管装 商品毛重 1.78克(g) 数据手册 商品参数 资料纠错查看类似商品 属性参数值 商品目录 场效应管(MOSFET) 类型 1个N沟道 漏源电压(Vdss) 100V 属性参数值 连续漏极电流(Id) 100A 导通电阻(RDS(on)) 10mΩ@...
类似零件编号 - FDB120N10 制造商 部件名 数据表 功能描述 Inchange Semiconductor ... FDB120N10 400Kb / 2P isc N-Channel MOSFET Transistor More results 类似说明 - FDB120N10 制造商 部件名 数据表 功能描述 Fairchild Semiconductor FDP120N10 691Kb / 8P N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100V, 74A...
型号 FDB120N10 AOB298L 唯样编号 E-FDB120N10 A-AOB298L 制造商 ON Semiconductor AOS 供应商 欧时电子 唯样自营 分类 未分类 功率MOSFET 描述 表面贴装型 N 通道 100 V 74A(Tc) 170W(Tc) TO-263(D2PAK) 数据表 FDB120N10.pdf AOB298L.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 ...
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品牌: ON(安森美) 封装/规格:TO-263 商品编号:FDB120N10 标准包装:800 规格书 / 封装库 阶梯数量 单价(含增值税) 800+: ￥22.13642 / 个 4000+: ￥19.92281 / 个 库存: 已售罄 可订货 如库存不足,您可按实际需要填写购买的数据,我们帮您订货!
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型号 IPB120N10S403ATMA1 FDB035N10A 唯样编号 G-IPB120N10S403ATMA1 A-FDB035N10A 制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor 供应商 Arrow 唯样自营 分类 功率MOSFET 通用MOSFET 描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK N-Channel 100 V 3.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3 ...
唯样编号 C-IPB120N10S403ATMA1 A-FDB035N10A 制造商 Infineon Technologies ON Semiconductor 供应商 海外代购M 唯样自营 分类 功率MOSFET 通用MOSFET 描述 MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK N-Channel 100 V 3.5 mOhm Surface Mount PowerTrench Mosfet - D2PAK-3 数据表 IPB120N10S403ATMA1.pdf RoHs...