型号 FDA70N20 技术参数 品牌: ON 型号: FDA70N20 封装: TO-3P 批号: 22+ 数量: 6258 描述: MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P 对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况: 无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求 湿气敏感性等级 (MSL): 1(无限) 原厂标准交货期: 6周 详细描述...
唯样商城为您提供ON Semiconductor设计生产的FDA70N20 元器件,主要参数为:417W(Tc) 35m Ohms@35A,10V -55°C~150°C(TJ) 70A N-Channel 200V 70A(Tc) ±30V 35 毫欧 @ 35A,10V -55°C ~ 150°C(TJ) TO-3PN TO-3P-3,SC-65-3,FDA70N20库存充足,购买享优惠!
FDA70N20 规格参数 是否无铅: 不含铅 生命周期: Active 包装说明: FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 Reach Compliance Code: compliant ECCN代码: EAR99 HTS代码: 8541.29.00.95 Factory Lead Time: 1 week 风险等级: 1.51 其他特性: FAST SWITCHING 雪崩能效等级(Eas): 1742 mJ 配置: SINGLE WITH BUILT-IN DIODE ...
购买FDA70N20 产品说明 FDA70N20 200伏N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 特征 70A,200伏,无线电数据系统(开)= 0.035ω@ VGS = 10伏 低栅极电荷(典型值66 nC) 低Crss(典型值89 pF) 快速切换 100%雪崩测试 提高dv/dt能力 描述 这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用飞兆专有的平面条形制作而成, ...
- 开关特性:FDA70N20具有快速的开关速度,其典型的上升时间和下降时间分别为45纳秒和50纳秒。这一特性使其能够在高频操作中保持高效,适用于高频开关电源和逆变器应用。 - 栅极电荷(Qg):FDA70N20的总栅极电荷为140纳库伦,这意味着其驱动需求较低,有助于简化驱动电路设计,并减少驱动损耗。
ON/安森美 FDA70N20 MOS(场效应管)价格 ¥ 0.01 起订数 10个起批 发货地 广东深圳 咨询底价 产品服务 热门商品 MICROCHIP/微芯 KSZ8001LI-TR 完全版 收发器 MII,RMII,SMII 48-LQFP(7x7) ¥ 0.01 MAXIM/美信 MAX231EWE+T RS-232接口集成电路 +5V-Powered, Multichannel RS-232 Drivers/Receivers ...
FDA70N20原装ON安森美 70N20 直插TO-3P场效应管N沟 70A 200V 深圳市长亮源科技有限公司19年 月均发货速度:暂无记录 广东 深圳市 ¥8.00 全新原装FDA70N2070A/200V N沟道 TO-3P MOS管场效应管 深圳市森桂电子有限公司8年 月均发货速度:暂无记录 ...
FDA70N20-JSM由JSMSEMI(杰盛微)设计生产,立创商城现货销售。FDA70N20-JSM价格参考￥8.63。JSMSEMI(杰盛微) FDA70N20-JSM参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id):70A;导通电阻(RDS(on)):27mΩ@10V,30A;耗散功率(Pd):500W;阈值电压(Vgs(th)
FDA70N20,仙童(Fairchild)产品一站式供应商。 基本参数: 电子零件型号:FDA70N20 原始制造厂商:仙童(Fairchild),已被ON安森美收购 技术标准参数:MOSFET N-CH 200V 70A TO-3P 产品应用分类:单端场效应管 点击此处查询FDA70N20的技术规格手册Datasheet(PDF文件) ...
零件号别名: FDA70N20_NL 单位重量: 6.401 g 价格说明 价格:商品在平台的展示标价,具体的成交价格可能因商品参加活动等情况发生变化,也可能随着购买数量不同或所选规格不同而发生变化,如用户与商家线下达成协议,以线下协议的结算价格为准。 特别提示:商品详情页中(含主图)以文字或者图片形式标注的抢购价等价格...