FDA59N30 系列 300 V 0.047 Ohms N 沟道 Mosfet TO-3PN查看详情 TO-3-3 4周 在产 2013年 ¥17.308 数据手册(2) 器件3D模型 规格参数 代替型号 (1) 反馈错误 by FindIC.com FDA59N30 全球供应商 全球供应商 (8家) 刷新货币单位:原货币USD-$ 美元RMB-¥ 人民币EUR-€ 欧元GBP-£ 英镑CAD-C$...
PDF下载 Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note: As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor’s system require...
下载PDF FDA59N30 价格&库存 -> 查询更多价格&库存 型号:FDA59N30 品牌:ON 封装:TO3PN 描述:N-Channel 300 V 0.056 Ohm Flange Mount UniFET Mosfet TO-3PN 国内价格 香港价格 30+17.0034630+2.05350 120+16.72772120+2.02020 450+16.45199450+1.98690 750+16.36008750+1.97580 1500+16.084351500+1.94250 库存:300...
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PDF资料 价格说明 联系我们 品牌 安森美 封装 TO-3P 批号 21+ 数量 15000 制造商 ON Semiconductor 产品种类 MOSFET RoHS 是 安装风格 Through Hole 封装/ 箱体 TO-3PN-3 通道数量 1 Channel 晶体管极性 N-Channel Vds-漏源极击穿电压 300 V Id-连续漏极电流 59 A Rds On-漏源导...
数据手册PDF 放大查看下载PDF 梯度价格 梯度 售价 折合1管 1+￥21.51 10+￥18.57 30+￥16.81￥504.3 90+￥15.04￥451.2 450+￥14.22￥426.6 900+￥13.86￥415.8 优惠活动 库存总量 (单位:个) 广东仓 89 江苏仓 0 购买数量 (30个/管,最小起订量 1 个) ...
制造商型号: FDA59N30 制造商: ON 封装/规格: TO_3P_3,SC_65_3 商品描述: MOSFET N-CH 300V 59A TO-3P PDF资料: FDA59N30.pdf 交货地:国内 (含增税) 货期(工作日):2小时发货 库存: 现货3590(1起订) (国内:2小时发货) 数量: x18.59000(单价)非最新价格,具体咨询客服「卷装(TR) / 1...
FDA59N30-JSM由JSMSEMI(杰盛微)设计生产,立创商城现货销售。FDA59N30-JSM价格参考￥6.82。JSMSEMI(杰盛微) FDA59N30-JSM参数名称:类型:1个N沟道;漏源电压(Vdss):300V;连续漏极电流(Id):60A;导通电阻(RDS(on)):30mΩ@10V,25A;耗散功率(Pd):500W;阈值电压(Vgs(th)
FDA59N30中文资料
IXTQ69N30P.pdf RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs 规格信息 功率 - 500W(Tc) Rds On(Max)@Id,Vgs - 56 毫欧 @ 29.5A,10V 漏源极电压Vds - 300V Pd-功率耗散(Max) - 500W(Tc) 栅极电压Vgs - ±30V FET类型 - N-Channel 封装/外壳 TO-3P-3,SC-65-3 TO-3PN 连续漏极电流Id - 59A 工...