CVD的原理与工艺 第七章化学气相淀积 桂林电子科技大学职业技术学院 膜淀积 集成电路制造过程中，常需要在衬底上生长固体材料层；若固体膜三维尺寸中，某一维尺寸（通常指厚度）远远小于另外两维上的尺寸，称为薄膜，通常描述薄膜厚度的单位是埃。薄膜淀积：任何在硅片衬底上物理沉淀聚积一层薄膜的工艺。薄膜特性 硅片加工中可接受的膜必须具
目录 PECVD的作用PECVD的原理PECVD工艺参数的调整安全 定义 等离子体：由于物质分子热运动加剧，相互间的碰撞就会使气体分子产生电离，这样物质就会变成自由运动并由相互作用的正离子、电子和中性粒子组成的混合物。PECVD：MicrowaveRemotePlasmaEnhanceChemicalVapourDeposition微波间接等离子增强化学气相沉积 PECVD工作原理 PECVD的...
CVD的原理与工艺-修正版.pdf
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