栅极电荷(Qg) 44nC FET类型 单P沟道 最大耗散功率 54W 漏源电压(Vdss) -100V 漏极电流(Id) -30A 漏源导通电阻(RDS On) 78mΩ 栅源电压(Vgs) ±20V 配置类型 增强型 工作温度范围 -55°C to 150°C 安装类型 贴片 应用领域 小家电 电机 PD 无人机 可售卖地 全国 型号 WSD40P1...
FCQFN封装 4mmx6mm,3mmx5mm 与Si MOS相比,INN100FQ025A的Ciss为1500pF(仅为Si MOS的1/5),Qg为14nC(仅为Si MOS的1/6),器件开关速度和开关损耗具备显著优势。 应用领域 电机驱动 LLC同步整流 高频DC-DC转换器 POL 开关转换器 PC充电器 移动电源 目前,INN100FQ016A 和 INN100FQ025A 两款产品均已成功...
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A reference design for engine cooling fan application using MOSFETs with a gate charge > 100nC presents the current capability via the first worldwide integrated bridge driver capable to drive 1kW motors at 12V.It combines Infineon´s grade 0...
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