分布反馈(DFB,DistributedFeedback)与分布布拉格反射(DBR,DistributedBraggReflector)激光二极管具有极窄谱线带宽低于5MHz和典型边模抑制比(SMSR)>40db。Innolume公司基于砷化镓DFB,DBR激光器光谱范围范围:970-1330nm,利用铟镓砷QW或者砷化镓QD活跃区和专用芯片而设计。 二、产品分类 • DFB – 光纤耦合模块 • DFB –...
dbr原理的核心在于减少数据库操作的次数,这个核心思想可以归纳为两个方面:一是减少单次查询的数据量,二是尽量将多条查询合并为一次查询。对于第一个方面,可以通过设置查询条件、返回结果字段以及分页等方式进行优化。对于第二个方面,可以借助数据库缓存机制、批量查询等技术进行优化。 2. 优化sql语句的性能 优化sql语句...
摘要 本发明公开了一种DBR滤波器,所述DBR滤波器包括:耦合单元和至少一个DBR谐振腔,所述至少一个DBR谐振腔通过所述耦合单元串接;所述DBR谐振腔包括:DBR单侧枝节和补偿单元,所述至少一个DBR谐振腔的所有DBR单侧枝节设置于所述耦合单元的一侧,所述至少一个DBR谐振腔的所有补偿单元设置于所述耦合单元的另一侧。本...
摘要 本发明提出了一种蚀刻背镀DBR层的方法,所述方法包括:将晶圆背镀DBR层朝上,对所述DBR层进行气体蚀刻后形成凹凸不平的DBR层;将气体蚀刻后的晶圆进行液体蚀刻后形成剥离DBR层的晶圆。本发明所提出的蚀刻背镀DBR层的方法,工序流程简单方便。首先对DBR层进行气体蚀刻形成凹凸不平的DBR层。然后可通过蚀液对凹凸不...
一种去除DBR膜层的制作方法专利信息由爱企查专利频道提供,一种去除DBR膜层的制作方法说明:本发明提供的一种去除DBR膜层的制作方法,包括提供一LED晶圆,其中,所述LED晶圆的底部设有...专利查询请上爱企查
摘要 本实用新型公开了一种含有多层DBR结构的太阳能电池,包括衬底及按层状结构依次叠加在衬底上的多个子电池,在多个子电池之下各增加有一层DBR结构;DBR结构反射的光能范围应处于相应子电池能够利用的光能范围内,DBR结构要求其材料带隙高于位于光路下游的子电池的带隙,保证DBR结构对于光路下游的子电池能够利用的光能是...
摘要 本发明公开了一种共用DBR的多波长VCSEL激光器芯片,涉及半导体光电子技术领域,包括衬底以及至少两个堆叠于衬底表面的VCSEL单元;各VCSEL单元自下而上包括底部N型DBR、有源区、掩埋隧穿结和顶部N型DBR;位于下层的VCSEL单元的顶部N型DBR与位于上层的VCSEL单元的底部N型DBR为一体式的共用DBR;与共用DBR相邻的上下两个...
摘要 本发明公开了一种降低DBR周期数的DBR低折射率层刻蚀方法,采用离子束刻蚀方法对垂直腔面发射激光器的DBR层中低折射率层进行介孔刻蚀,从而提高组成DBR两层折射率差,该方法操作简单,控制精准,能够保证获得介孔的尺度和精度,能够实现高反射率的同时,降低DBR的周期数。具体在纳米阵列器件制备过程中,采用了聚焦离子束...
专利名称 外延集成介质膜DBR外腔面发射激光器 申请号 2021100587631 申请日期 2021-01-16 公布/公告号 CN112838474A 公布/公告日期 2021-05-25 发明人 徐晨,吴博,解意洋,傅攀,赵旭鹏 专利申请人 北京工业大学 专利代理人 沈波 专利代理机构 北京思海天达知识产权代理有限公司 专利类型 发明专利 主分类号 H01S5/14...
专利名称 一种含DBR结构的五结太阳能电池 申请号 2015209320522 申请日期 2015-11-19 公布/公告号 CN205385027U 公布/公告日期 2016-07-13 发明人 张小宾,张杨,马涤非,王雷,毛明明,刘雪珍,张露,潘旭,杨翠柏 专利申请人 中山德华芯片技术有限公司 专利代理人 梁莹 专利代理机构 广州市华学知识产权代理有限公司 专...