型号 F4-75R06W1E3 包装 盒装 用途 IGBT 封装外形 标准 材料 硅 开启电压 600V 夹断电压 600V 最大漏极电流 75A 低频噪声系数 详询dB 产品认证 3C 数量 999 封装 标准封装 批号 23+ QQ 869217999 品牌 英飞凌 上海萱鸿电子科技有限公司欢迎您的到来,我司主要经营代理原装进口电子元器件...
制造商编号 F4-75R06W1E3 产品 IGBTSiliconModules 配置 3-Phase 在25C的连续集电极电流 100A 封装/箱体 HybridPack1 最小工作温度 -40C 最大工作温度 +150C 商标 InfineonTechnologies 栅极/发射极最大电压 20V 系列 TrenchstopIGBT3 包装数量 24 重量 24g 别名 SP000257413F475R06W1E3BOM...
型号 F4-75R06W1E3 上海意发电子科技有限公司上海意发电子科技有限公司是一家集代理、分销、直销为一体的电力电子半导体销售。我公司专业销售代理国内外知名品牌电力电子半导体器件、变频器配件、铝电解电容和功率模块,熔断器;主要代理及经销德国Infineon英飞凌、EUPEC优派克、SIEMENS西门子、西门康Semikron,IXYS艾赛斯、Mitsu...
型号: F4-75R06W1E3 封装: 标准封装 批号: 新批次 数量: 6716 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 配置: Quad 集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 在25 C的连续集电极电流: 100 A 封装/ 箱体: EASY1B 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 高度: 12 mm 长度: 62.8 mm 宽度: 33....
英飞凌(F4-75R06W1E3)特征描述: Tvj op = 150°C 符合RoHS 通过UL/CSA 的 认证 英飞凌(F4-75R06W1E3)优势: 现有封装具有更高的电流能力,允许在相同的框架尺寸下增加逆变器输出功率 极高的功率密度 灵活性 出色的电气性能 高可靠性 英飞凌(F4-75R06W1E3)应用领域: ...
F4-75R06W1E3600 V 75 A 四单元 IGBT模块 EasyPIM™1B600 V, 75 AIGBT模块,采用第三代沟槽栅/场场终止 IGBT和发射极控制三极管和 NTC 温度检测 。 特征描述 低电感设计 低开关损耗 第三代沟槽栅 IGBT 低VCEsat 低热阻 Al2O3基板 紧凑型设计 ...
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型号: F4-75R06W1E3 批号: 19+ 封装: IGBT 数量: 480 QQ: 2427834432 制造商: Infineon 产品种类: IGBT 模块 产品: IGBT Silicon Modules 配置: Quad 集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V 在25 C的连续集电极电流: 100 A 封装/ 箱体: EASY1B 最小工作温度: - 40 C 最大工作温度: + 150 C 封装...
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