DUV:深紫外线(Deep Ultraviolet Lithography) EUV:极深紫外线(Extreme Ultraviolet Lithography) 一、DUV技术由日本和荷兰独立发展: ArF干法后期两大路径之争,ArF湿法胜于F2。2002年DUV技术在干法ArF后期演化成2条主要进化方向: 其一是用157nm的F2的准分子光源取代193nm的ArF光源。该方法较浸没式ArF更为保守,代表厂...
DUV是深紫外线(Deep Ultraviolet Lithography),EUV是极深紫外线(Extreme Ultraviolet Lithography)。从制程范围来看,DUV基本上只能做到25nm,Intel凭借双工作台的模式做到了10nm,但是却无法达到10nm以下。…
DUV是深紫外线(Deep Ultraviolet Lithography),EUV是极深紫外线(Extreme Ultraviolet Lithography)。从制程范围来看,DUV基本上只能做到25nm,Intel凭借双工作台的模式做到了10nm,但是却无法达到10nm以下。只有EUV能满足10nm以下的晶圆制造,并且还可以向5nm、3nm继续延伸。
DUV是深紫外线(Deep Ultraviolet Lithography),EUV是极深紫外线(Extreme Ultraviolet Lithography)。从制程范围来看,DUV基本上只能做到25nm,Intel凭借双工作台的模式做到了10nm,但是却无法达到10nm以下。只有EUV能满足10nm以下的晶圆制造,并且还可以向5nm、3nm继续延伸。00分享举报您可能感兴趣的内容广告 「传奇新服网」...
The EUV mask was further fabricated by using the optical mask via optical lithography pattern transfer. The programmed LER on both optical mask, EUV mask, and printed resist images were characterized, measured, and compared. The data analysis showed that the mask LER in both DUV and EUV cases...
Although the US and Dutch governments have banned ASML from selling extreme ultraviolet (EUV) and advanced deep ultraviolet (DUV) lithography equipment to China, sales and after-sales... Tuesday 26 November 2024Samsung's market risks, SK Hynix's fab dependence: Diverging paths to decoupling from...
第一种提高光刻分辨率途径,光刻机的波长已经经历了从435nm(G-线)、365nm(I-线)、248nm(深紫外,DUV)、193nm(ArF,干式和水浸没式)到目前的13.5nm(极紫外,EUV)的发展历程。 光学光刻机的演进 第二种提高光刻分辨率途径,数值孔径NA越大,收集的衍射束就越多,光刻分辨率就越高。DUV光刻机投影透镜的数值孔径NA...
第一种提高光刻分辨率途径,光刻机的波长已经经历了从435nm(G-线)、365nm(I-线)、248nm(深紫外,DUV)、193nm(ArF,干式和水浸没式)到目前的13.5nm(极紫外,EUV)的发展历程。 光学光刻机的演进 第二种提高光刻分辨率途径,数值孔径NA越大,收集的衍射束就越多,光刻分辨率就越高。DUV光刻机投影透镜的数值孔径NA...
Categories: Lithography, Semiconductor Advisors, Semiconductor Services2 Comments ASML- better EPS but weaker revenues- 2024 recovery on track China jumps 10% to 49%- Memory looking better @59% of orders Order lumpiness increases with ASP- EUV will be up-DUV down“Passing Bottom” of what has...
极紫外光刻(Extreme Ultra-violet Lithography,EUVL),顾名思义,是使用极紫外光作为光源的光刻技术。 极紫外(EUV)光谱/软X射线电磁辐射谱是指波长为 5~30nm 的波谱。与曝光波长为 248nm 和 193nm 的深紫外(DUV)光刻类似,EUV 光刻也使用投影物镜对掩模进行缩小成像。由于EUV 光刻的曝光波长短,其分辨率明显高于 ...