5D0→7F2和5D0→7F3跃迁;图4(b)中,在480 和806 nm 处有两个主要的发射峰,分别对应着Tm3+离子的1G4→3H6和3H4→3H6跃迁;图4(c)为Eu3+和Tm3+共掺杂GaN 薄膜的CL 光谱,与图4(a)和(b)相比,Eu3+和Tm3+离子各自的发射峰位置没有显著的差异,说明在GaN 中成功实现了两种稀土离子发光颜色的混合。
f）BBZL: DyEu玻璃的Dy3+发射和Eu3+激发的重叠光谱 图2（a-e）描述了BBZL：DyEu玻璃的PL发射光谱，其中可以观察到硼酸盐荧光玻璃在480、573、589和612 nm的四个特征发射峰。在480和573nm的特征峰主要归因于紫外线激发下Dy3+的4F9/2→6H15/2和4F9/2→6H13/2能级跃迁。589和612nm处的特征发射峰分别反...
图3 (a)是不同浓度的MgIn2P4O14: Eux荧光粉在各自最佳CTB波长激发下的发射光谱,其中的系列发生峰均属于Eu3+的f-f特征发射峰:5D0→7F0(579 nm)、5D0→7F1(584-600 nm)、5D0→7F2(603-635 nm)、5D0→7F3(645-665 nm)。为了清晰表达相对强度的变化,基于5D0→7F1发射峰强度值对光谱进行了归一化...
高温固相法制备ZnMoO_(4):Eu^(3+)荧光粉及其发光性质研究
一般这种材料必须具有两个以上的荧光发射峰,且不同发射峰的强度对温度有不同的反应。另外,不同发射峰之间还要有一定的波长间隔,以便甄别信号。以Er3+离子的2H11/2和4S3/2热耦合能级对为例,二者的发射峰分别位于535nm和550nm左右,间距约为15nm;但是由于两个发射峰太过接近,甚至可能产生交叠,因而不利于两个...
对不同条件下的eu3+掺杂cds溶液进行光谱测试,可看见明显的稀土eu3+离子特征发射峰,如图2所示;还能看到eu元素成功掺杂进原有材料中,如图3和图4所示;且eu3+掺杂cds材料表面含有丰富的含氧官能团,可看到o-eu键的键合,如图6所示。 7、利用六水合硝酸铕和丙酰胺制备eu3+掺杂cds材料,具体包括以下步骤:...
(3)Stokes位移较大。稀土有机配合物的发射峰与其激发峰之间存在的相对位移,由此可以排除激发光的波长对其干扰,从而减少检测过程中的误差。 (4)稀土有机配合物的激发、发射的特征峰受中心稀土离子的影响较大,而与有机配体结构关系不大。 长余辉发光材料LILaSiO4:Dy3+,Eu3+,Tm3+,Tb3+,Sm3+ ...
给出了YPO4:Eu的荧光光谱, 指出其中各个峰对应的跃迁能级, 确定为Eu3+的发射峰.掺镝的钼酸钙CaMoO4:Dy3+稀土发光材料钒磷酸钇掺镝Y(P,V)O4:Dy3+下转换发光材料镝掺杂钼酸锌(ZnMoO4 : Dy3+)纳米晶掺镝磷酸钇发光粉体材料钒磷酸钇掺镝Y(P,V)O4:Dy3+微米荧光粉掺镝钒酸钇发光粉体材料钒磷酸钇掺...
图3为Eu3+掺杂钛酸钇晶态薄膜在254 nm激发时的可见荧光发射光谱。观测到的发射峰属于Eu3+离子的5DJ (J = 0, l, 2) →7 FJ ( J = 0, 1, 2, 3,4) 跃迁。在图中可观测到5D0 →7 F0 ( 574. 5nm) 、5D0 →7 F1 ( 582. 5, 590, 597. 5 nm) 、5D0 →7 F2(612, 615, 618. 5 ...
研究了eu3在zn4b6o13中的强激发带位于394nm主要发射峰位于610nm归属eu3离子的5d07f2电偶极跃迁发射根据发射光谱计算色坐标为x0281y0619sem摄取了样品的清晰晶体外貌平均颗粒度为15m左右 Zn4B6O13:Eu3+的合成与光致发光 Zn4B6O13:Eu3+的合成与光致发光 用高温固相扩散方法首次合成了由Eu3+离子激活的Zn4B6O...