首先,电路图的左边比较简单,就是使用两个按键的配合,对 ESP32 的下载模式进行控制。 然后,他右面的电路就是通过 USB 转串口芯片的 DTR 和 RTS 两个引脚进行配置,其中 CHIP_PU就是 ESP32 的 EN 引脚,也就是 RST 复位引脚,而 R7 上端的 0 就是 GPIO0 的网络。芯片 2N7002BKS 是一个双MOS 管封装
CH340X、CH343、CH342等USB转串口芯片支持免外围电路ESP32/ESP8266等单片机串口一键下载功能,对此类支持多模式启动的单片机,无需外围三极管等逻辑控制电路,将芯片提供的输出信号脚直连MCU的BOOT控制引脚(GPIO0)与CHIP_PU芯片使能引脚(EN)即可实现MCU BOOT和APP模式的控制切换和固件下载。 二、方案特点 电路精简可靠,...
大家有没有遇到这个现象:esp32s3 CHIP_PU管脚拉低接地后电流为1.4mA,和手册上的关断电流1uA相差太大,且deep sleep的电流初为1.3mA后慢慢变成0.8mA,不知什么原因1 post • Page 1 of 1 Return to “硬件问题讨论” Jump to Who is online Users browsing this forum: Baidu [Spider] and 0 guests...
3.2 Strapping 管脚: CHIP_PU 与 strapping 管脚的建立和保持时间关系: VIH: 高电平输入电压, 0.75xVDDIO(I/O 供电电源) < VIH < VDDIO+0.3 t0: CHIP_PU 上电前的建立时间,最小值 0ms t1: CHIP_PU 上电后的保持时间, 最小值 1ms ESP32 共有 5 个 Strapping Pins: GPIO0、GPIO2、GPIO5、GPIO12...
使用电池供电时,建议增加电源监视器以防止ESP32发生异常。电源电压低于2.3V时,拉低CHIP_PU引脚。 2.8 PSRAM。 当任务需要大量内存时,ESP32自身的内存不足,那么就需要扩展PSRAM内存,对应的芯片型号是ESP-PSRAM64H。其原理图如下图所示。 然后在make menuconfig中配置PSRAM。
CHIP_PU即EN,代码中2-3阶段之后会延时一段时间,而EN由于电容充电,电平并不会立马变为高电平,而是缓慢上升,以如上参数为例计算,同时参考芯片电气参数特性 高电平为0.75VDD,则达到高电平按照如下公式计算: 解得t = 14ms,即EN经过14ms上升到电平1,在实际代码中延时了50ms的等待时间,以确保延时后EN处于电平1的...
CH340X、CH343以及CH342等USB转串口芯片均具备对ESP32/ESP8266等单片机进行免外围电路一键下载的功能。对于支持多模式启动的单片机,无需额外的三极管等逻辑控制部件,仅需将芯片的输出信号脚直接连接至MCU的BOOT控制引脚(GPIO0)和CHIP_PU芯片使能引脚(EN),即可实现MCU在BOOT和APP模式间的切换及固件下载。
CHIP_PU即EN,代码中23阶段之后会延时一段时间,而EN由于电容充电,电平并不会立马变为高电平,而是缓慢上升,以如上参数为例计算,同时参考芯片电气参数特性 高电平为0.75VDD,则达到高电平按照如下公式计算: 0.75VDD = VDD \times (1 - e^{-t/RC}) e^{-t/RC} = 0.25 解得t = 14ms,即EN经过14ms上升...
CHIP_PU即EN,代码中2-3阶段之后会延时一段时间,而EN由于电容充电,电平并不会立马变为高电平,而是缓慢上升,以如上参数为例计算,同时参考芯片电气参数特性 高电平为0.75VDD,则达到高电平按照如下公式计算: 解得t = 14ms,即EN经过14ms上升到电平1,在实际代码中延时了50ms的等待时间,以确保延时后EN处于电平1的...
关于CHIP_PU 的说明: 下图为 ESP32-S2 系列芯片上电、复位时序图。各参数说明如表 3 所示。 图5: ESP32-S2 系列芯片上电、复位时序图 表3: ESP32-S2 系列芯片上电、复位时序图参数说明 2.5Strapping 管脚 2.6ESP32-S2 系列芯片共有 3 个 Strapping 管脚。