然而，很难实现从 MM 电压到 HBM 电压的单一转换。保护设计传统上专注于满足 HBM 要求，但MM 测试仪容易受到寄生电路元件的影响；仿真器中继电器开关网络的这些寄生效应导致 MM 波形比 HBM 测试仪的波形变化更大。尽管如此，在没有任何支持数据的情况下，200V MM 成为事实上的要求。它被认为是处理的安全水平，并...
ESD测试 一般使用TLP模型模拟HBM对芯片进行测试,使用vf-TLP模型模拟CDM对芯片进行测试。(TLP=Transmission Line Pulse, TLP相关内容参考:https://www.esdemc.com/public/docs/TechnicalSlides/ESDEMC_TS001.pdf) 几种常见的ESD测试 06 — 参考文献 E. Amerasekera, et al., ESDinsilicon ICs.2002Oh,Kwang-Hoon,...
TLP曲线ΔV/ΔI的陡峭度即是动态电阻R 戴恩 ,在选择ESD和浪涌保护器件时,这是一个重要的考虑参数。 TLP测试可对ESD保护器件及完整系统的接口引脚执行。 根据产生的TLP曲线,我们可以总结出哪个保护器件适合用来安全可靠地保护产品。 基本系统高效ESD设计 下图显示了基于TLP行为模型的基本系统高效ESD设计建模(仿真)。
通过TLP测试,可以获得防护器件的关键性能参数,便于在生产制造过程中调整相关的设计,从根本上提高产品的ESD防护能力,保证良率。(2)在产品通过型测试中,为了更好地量化不同情形下的ESD冲击,一般分为五种不同的模型。包括工业界作为产品片上ESD等级衡量标准的:HBM、CDM、MM模型和针对板级和系统级ESD防护的IEC(...
1.5 TLP模型 1.6 ESD模型总结 2 ESD保护器件 2.1 二极管 2.2 NMOS 2.3 SCR 3 ESD保护电路 3.1 输入ESD保护电路 3.2 输出ESD保护电路 3.3 功率钳位 3.4 全芯片ESD保护 3.5 混合信号与RF的ESD防护 4 ESD失效分析 5 布局与工艺 6 ESD失效建模 7 ESD仿真分析 8 ESD与电路相互作用 9 总结 本篇文章总结了ESD设...
对于其他(CDM、HBM、MM等)的静电模型,在相同损伤能量下,TLP与各种静电模型均有近似的等效关系,同时考虑到上升沿的触发效应,因此,一般会使用相近的脉宽和上升沿进行等效,通过进一步的影响评估,即可确认合适的不同模型静电等效方波,通过方波测出上述曲线,即可用于该静电模型下的ESD防护设计仿真,利用测试波形结果中的开启-...
TLP提供了一个单端口的I-V测量,因此从TLP测量数据中提取的模型是一个单端口模型。需要注意的是,在IC引脚处测量到的脉冲I-V曲线不仅描述了IC,而且还描述了IC和板级电流路径的综合效应。流入IC的IO引脚的电流按受板级电力传输网络(PDN)的阻抗影响的比例在可能的返回路径之间划分。
对于其他(CDM、HBM、MM等)的静电模型,在相同损伤能量下,TLP与各种静电模型均有近似的等效关系,同时考虑到上升沿的触发效应,因此,一般会使用相近的脉宽和上升沿进行等效,通过进一步的影响评估,即可确认合适的不同模型静电等效方波,通过方波测出上述曲线,即可用于该静电模型下的ESD防护设计仿真,利用测试波形结果中的开启-...
对于其他(CDM、HBM、MM等)的静电模型,在相同损伤能量下,TLP与各种静电模型均有近似的等效关系,同时考虑到上升沿的触发效应,因此,一般会使用相近的脉宽和上升沿进行等效,通过进一步的影响评估,即可确认合适的不同模型静电等效方波,通过方波测出上述曲线,即可用于该静电模型下的ESD防护设计仿真,利用测试波形结果中的开启-...