ESD产生的原因较多，对于集成电路电子元件产品，常见的ESD 被分类为下列三类，分别是：人体放电模式(HBM, Human Body Model),机器放电模式(MM, Machine Model)以及元件充电模式(CDM, Charge Device Model)。人体放电模式(HBM, Human Body Model)指人体通过磨擦或其他原因积累了静电，而静电没有释放时，当人碰触...
1、人体放电模型 (Human-Body Model, HBM) : 人体放电模型(HBM)的ESD是指因人体在地上走动摩擦或其他因素在人体上已累积了静电,当此人去碰触到IC时,人体上的静电便会经由IC的脚(pin)而进入IC内,再经由IC放电到地去,如图1所示。此放电的过程会在短到微秒甚至纳秒(ns)的时间内产生数安培的瞬间放电电流,此...
ESD HBM标准。 ESD(Electrostatic Discharge)是指静电放电,是指在两个不同电势的物体之间发生的放电现象。HBM(Human Body Model)是指人体模型,是一种用来模拟人体对静电放电敏感程度的标准。ESD HBM标准则是用来评估电子元器件对人体模型静电放电的抗击能力的标准。 ESD HBM标准的制定是为了保证电子元器件在生产、运输...
ESD产生方式 ESD产生的原因较多,对于集成电路电子元件产品,常见的ESD 被分类为下列三类,分别是:人体放电模式(HBM, Human Body Model),机器放电模式(MM, Machine Model)以及元件充电模式(CDM, Charge Device Model)。 人体放电模式(HBM, Human Body Model) 指人体通过磨擦或其他原因积累了静电,而静电没有释放时...
为了表征人体带静电并接触器件放电的电路特性,以及半导体器件的ESD敏感度,相关标准组织/机构制定了人体模型(Human Body Model-HBM)以规范HBM模式下的ESD测试模型和等级标准。 人体放电模型(HBM)的ESD是指因人体在走动摩擦或其它因素在人体上累积了静电,当此人碰触到IC时,人体上的静电便会经由IC的引脚(pin)而进入IC...
插座式组件充电放电模式Socket Charged Device Model 此放电模式是指IC先因磨擦或其它因素而在IC内部累积了静电,但在静电累积的过程中IC并未被损伤。此带有静电的IC在处理过程中,当其IC脚位碰触到接地面时,IC内部的静电便会经由此IC脚位流出来,而造成了放电的现象。 组件充电放电模式(CDM) ESD可能发生的原因及放...
1、人体放电模型 (Human-Body Model, HBM) : 人体放电模型(HBM)的ESD是指因人体在地上走动摩擦或其他因素在人体上已累积了静电,当此人去碰触到IC时,人体上的静电便会经由IC的脚(pin)而进入IC内,再经由IC放电到地去,如图1所示。此放电的过程会在短到微秒甚至纳秒(ns)的时间内产生数安培的瞬间放电电流,此...
1.HBM:Human Body Model,人体模型:该模型表征人体带电 接触器件放电,Rb 为等效人体电阻,Cb 为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件 HBM 模型的 ESD 等级 2.MM:Machine Model,机器模型: 机器…
1.HBM:Human Body Model,人体模型 该模型表征人体带电接触器件放电,Rb 为等效人体电阻,Cb 为等效人体电容。等效电路如下图。图中同时给出了器件 HBM 模型的 ESD 等级。 2.MM:Machine Model,机器模型 机器模型的等效电路与人体模型相似,但等效电容(Cb)是 200pF,等效电阻为 0,机器模型与人体模型的差异较大,实...
根据静电的产生方式以及对电路的损伤模式不同通常分为四种测试方式: 人体放电模式(Human-Body Model,HBM)、机器放电模式(Machine Model,MM)、元件充电模式(Charged-Device Model,CDM)、电场感应模式(Field-Induced Model,FIM),但是业界通常使用前两种模式来测试(HBM, MM)。