典型的HBM 波形有2 至10 纳秒的上升时间、0.67 安培/千伏特的电流,及200 纳秒脉冲宽度的双重指数信号衰减波形。典型情况下,HBM 的脉波能量是导致故障的决定性参数。 人体模型(HBM)ESD 敏感度的测试通常采用自动化测试系统进行。测试系统中的器件经继电器矩阵进...
根据静电的产生方式以及对电路的损伤模式不同通常分为四种测试方式: 人体放电模式(HBM: Human-Body Model)、机器放电模式(Machine Model)、元件充电模式(CDM: Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM: Field-Induced Model),但是业界通常使用前两种模式来测试(HBM, MM)。 1) 人体放电模式(HBM) 当然就是人体摩擦...
CDM 模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时，发生对地放电引起器件失效而建立的，器件带电模型如下：器件的 ESD 等级一般按以上三种模型测试，大部分 ESD 敏感器件手册上都有器件的 ESD数据，一般给出的是 HBM 和 MM。通过器件的 ESD 数据可以了解器件的 ESD 特性，但要注意，器件的每个管脚的 ESD 特性差...
就是HBM是人体带静电后对产品进行静电放电,CDM是产品带静电后对外界放电。 在上一个版本的AEC Q100中,E2项还包含了机械放电测试(设备放电),但是这个版本给删除了,我觉得可能是设备防静电措施已经做的很标准化而且很靠谱了,但实际上设备静电放电和人体静电放电对产品失效影响效果是一样的,测试HBM就可以了。 在前文...
(3)元件充电模型(Charged-Device Model, CDM) (4)电场感应模型(Field-Induced Model,FIM) 下面是四类静电放电现象详加说明,并比较各类放电现象的电流大小 1、人体放电模型 (Human-Body Model, HBM) : 人体放电模型(HBM)的ESD是指因人体在地上走动摩擦或其他因素在人体上已累积了静电,当此人去碰触到IC时,人...
( IEC 61000-4-2)来模拟环境的静电伤害,IC单体则会用HBM(JEDEC/MIL)来模拟生产过程的静电等级,或测试插座突破Surge/IEC 61000-4-5的标准,在测试讯号上原理基本都是相同,先针对机器内部电容充电到指定电压后,然后再对待测物放电(Discharge),就如同电池有正负电极一样,HBM, ESD Gun或Surge等都是红黑讯号接到待...
主要的ESD测试是人体模型(HBM),机器模型(MM)和充电设备模型(CDM)。 有许多成熟的模型可以针对ESD事件测试半导体器件的可靠性,以确保有效性和可靠性。主要的ESD测试是人体模型(HBM),机器模型(MM)和充电设备模型(CDM)(图1)。 图1.用于 HBM、MM 和 CDM 测试的 ESD 模型。
CDM的场景是芯片因为摩擦或者其它原因在衬底内部集聚了很多电荷,当在封装或者测试时芯片引脚接触到探针后发生的放电事件。CDM放电事件主要会对MOS器件的栅极造成损坏,造成(dielectric failure)。CDM是三种模型中最难处理的情况,放电时间短,电流幅值大。放电路径与HBM和MM有差异。
带电器件模型(Charged-Device Model - CDM)是第三种重要的元器件静电放电耐受阈值的测试方法。CDM 模型与之前讨论的HBM、 MM模型完全不同。HBM和MM模型是模拟人体(Human Body)或机器设备(Machine)带电后对元器件放电,而 CDM模型则是模拟元器件本身带电后对地放电。随着芯片制造、封测、装联的自动化程度提高,人体...
ESD产生的原因较多，对于集成电路电子元件产品，常见的ESD 被分类为下列三类，分别是：人体放电模式(HBM, Human Body Model),机器放电模式(MM, Machine Model)以及元件充电模式(CDM, Charge Device Model)。人体放电模式(HBM, Human Body Model)指人体通过磨擦或其他原因积累了静电，而静电没有释放时，当人碰触...