虽然HBM的电压2KV比MM的电压200V来得大,但是200V MM的放电电流却比2KV HBM的放电电流来得大很多,因此机器放电模式对IC的破坏力更大。在图2.2中,该200V MM的放电电流波形有上下振动(Ring)的情形,是因为测试机台导线的杂散等效电感与电容互相耦合而引起的。 另外在国际电子工业标准(EIA/JEDEC STANDARD)中,亦对此...
根据静电的产生方式以及对电路的损伤模式不同通常分为四种测试方式: 人体放电模式(Human-Body Model,HBM)、机器放电模式(Machine Model,MM)、元件充电模式(Charged-Device Model,CDM)、电场感应模式(Field-Induced Model,FIM),但是业界通常使用前两种模式来测试(HBM, MM)。 1、人体放电模式(Human-Body Model,HBM) ...
HBM测试标准主要有:MIL-STD-883E,JESD22-A114E;图1和图2分别是JESD22-A114E中规定的HBM测试电路模型和典型放电电流波形。 图1 HBM测试电路模型 图2 HBM电流波形 按JESD22-114E进行测试时波形发生器提供的峰值电流与信号上升时间如下表: JESD22-114E标准中规定的人体模型下静电敏感度分级如下表: 1.2、机器模...
三类器件的HBM测试结果如下图所示,EAM与MRM的ESD性能相对较差,只能承受-125V的静电。Ge PD可以承受-200V的静电。Ge PD的器件宽度比EAM和MRM都大,因此宽度较大的有源器件,其ESD性能也相对较好。 (图片来自文献1) 三类器件的CDM测试结果如下图所示,其趋势与HBM结果类似。EAM的失效电压为300V和-275V, MRM的失效...
本文主要介绍ESD的相关模型及测试标准、测试结果及判定、ESD相关防护等。 1、ESD模型 ESD放电模型分下列四类: 人体放电模式(Human-Body Model,HBM) 机器放电模式(Machine Model,MM) 组件充电模式(Charged-Device Model,CDM) 电场感应模式(Field-Induced Model,FIM) ...
半导体器件的 ESD 测试人体模型( HBM )及静电敏感度分级 ESD 对半导体器件、以及电子产品和系统的可靠性设计和生产制造是一项很重要的影响因素。对于电子元器件,人体可能是产生
对于HBM测试,有一个简单的串联RC网络可模拟人体放电。1MΩ电阻用于为100pF电容器充电。使用1.5kΩ电阻进行放电。HBM事件最具破坏性,上升时间快。因此,需要快速上升时间脉冲来更精确地模拟HBM放电事件。 放电电流i(t)定义为: i(t)=i 0 exp(–t/τ) ...
本文主要介绍可靠性试验之ESD的相关模型及测试标准、测试结果及判定、ESD相关防护等。 1、ESD模型 ESD放电模型分下列四类: 人体放电模式(Human-Body Model,HBM) 机器放电模式(Machine Model,MM) 组件充电模式(Charged-Device Model,CDM) 电场感应模式(Field-Induced Model,FIM) ...
HBM测试的静电放电组合 测试放电组合可以选择标准内的table 2A或table 2B中的任意组合,但实践中更常选择table 2B的组合方案进行测试。如下图是table 2B的测试方案,即测试No.1: supply pin Group 1~No.N: supply pin Group N和No.N+1: non-supply pin group组合。
①HBM ②MM ③CDM 其中,我们为您说明一般较多用作电容器ESD耐性测试方法的①HBM。 ①HBM(Human Body Model:人体模型):假设由人体静电放电时的测试 ②MM(Machine Model:机械模型):假设由机械静电放电时的测试 ③CDM(Charged Device Model:带电设备模型):假设由带电设备静电放电时的测试 ...