工程师通常可以通过对失效现象的分析,如烧毁面积和损伤位置,来区分EOS和ESD的影响。EOS通常产生大面积的破坏,而ESD则表现为局部点状损伤。在难以确定时,还可以通过模拟实验来确认。 综上所述,ESD失效和EOS失效在定义、产生原因、特点与损伤表现以及区分方法等方面都存在显著差异。理解这些差异有助于制定有效的解决方案,...
三、对比区别 EOS ESD 典型地,由电源和测试设备产生 ESD属于EOS的特例,有限的能量,由静电荷引起 事件持续时间在微秒~秒级. (也可能是毫微秒) 事件持续时间在微微秒~毫微秒级 损坏的现象包括金属线熔化、发热、高功率、閂锁效应 其可见性不强损坏位置不易发现, 短的EOS脉冲损坏看起来像ESD损坏 通常导致电晶体级别...
一般来说，EOS 描述的是 ESD 以外的极端信号。下表列出了主要区别：电气过应力 (EOS) 的重要性 电子行业的许多不良措施都可能导致EOS。在过去几年中ESD（静电）受到了更多的关注。然而，ESD 仅占 EOS 总损害的一小部分。设备故障的典型原因 如上所述，EOS 和 ESD 不是一回事。这点非常重要，因为：l与 ESD ...
EOS:大多数是(但不总是)周期性和可重复的; ESD:非周期性和不可重复(不能保证累积静电);
3、集成电路IC常见EOS/ESD失效来源: ① 生产人员/设备/环境的ESD防护不佳 ② 使用易感应静电的材料 ③ 模块测试开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲波形干扰 ④ 热插拔引发的瞬间电压、电流脉冲 ⑤ 电源供应器缺少过电保护装置及噪声滤波装置 ⑥ 提供超过组件可操作的工作电源 ...
区别 产生原因不同 ESD:主要是由静电引起的。在日常生活和工业生产中,静电的产生非常普遍,如人体与物体的摩擦、物体之间的摩擦等。当带有静电的物体与电子设备接触时,静电会瞬间释放,形成 ESD。 EOS:通常是由电源波动、信号异常、电磁干扰等因素引起的。例如,电源的突然开启或关闭、雷击产生的电磁脉冲等都可能导致 ...
是指所有的过度电性应力。当外界电流和电压超过器件的最大规范条件时,器件会损伤或者直接损坏,EOS通常产生于如下方面: 电源AC/DC干扰、电源噪声和过电压 电路切换导致的瞬变电流/峰值/低频干扰,其持续时间可能达到几微秒或者 几毫秒。 程序开关引起的瞬态/毛刺/短时脉冲干扰 ...
所以芯片的ESD保护电路可以对部分与ESD放电类似的EOS过程形成有效防护,但对于长时间的EOS过程可能是不够的,特别是需要靠latch-up来帮助泄放能量的保护器件,在长时间的latch-up过程中很容易因为高温损坏。所以要对抗大能量长时间的EOS需要更专业的,能耐受更大功率的保护器件如TVS钳位器件。由此我们清楚了ESD是EOS的一...
EOS很容易复现问题,但是很难确认实际的EOS是哪一种时间常数与模式,究竟是反插还是直流过压或者浪涌高压。这个时候我们最好同时也分析外围其他关联器件是否有失效产生。 七、 EOS的预防和控制 生产中的EOS来源有烙铁,电动工具和电源整流。 制造中的防止EOS与控制ESD有明显区别, ...