若采用dual-diode作为ESD防护元件,在IO cell附近应尽可能地放置clamp cell,这样在negative-mode时,negative-mode2和negative-mode3通路上的寄生电阻足够小。 对于芯片ESD的测试,目前主要采用TLP系统(transimission line pulse,传输线脉冲产生)。TLP系统产生单一且能量不断升高的脉冲,脉冲宽度为ns级,高电流为安培(A)级...
UCLAMP0571P.TNT 15625 SEMTECH/升特 QFN 2年内 ￥3.0000元10~99 个 ￥2.5000元100~299 个 ￥2.0000元300~-- 个 深圳市港禾科技有限公司 2年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 TI TVS二极管 TPD4S012DRYR ESD 抑制器/TVS 二极管 4Ch USB ESD Solution w/ Pwr ClampTPD4S012...
科电电子供应UMW(友台半导体)ESD/TVS管UCLAMP3301D UMWUCLAMP3301D 9999 UMW(友台半导体) SOD-323 最新 ￥0.2800元1~-- 个 深圳市科电电子有限公司 3年 -- 立即订购 查看电话 QQ联系 科电电子供应UMW(友台半导体)ESD/TVS管CLAMP0504DT UMWCLAMP0504DT 9999 UMW(友台半导体) SOT23-6 最新 ...
“雁栖湖”版本香山处理器是flip chip封装,电源地的bump是平均分布在die上的,为了控制device到clamp的电阻,bump到clamp的电阻,VDDcore电源域的clamp cell也是分布在数字单元区域,clamp到clamp的距离小于2000um,如图4,保证任何device在1500um内有clamp。如果是wire bond封装,所有脚本进来都先经过了电源地IO,也就是先...
ESD 单元在设计中通常很容易识别,因为单元名称包含非常特有的关键字,例如 “ESD” 或“CLAMP”。只需要单元名称和端口名称就能定义可用于所有 ESD 检查的新 ESD 单元,设计人员因而能够使用 Calibre PERC 基于单元的 ESD 检查快速、准确地识别和评估 ESD 结构。
本发明涉及一种用于保护IC芯片免受ESD的保护电路. The present invention relates to a protection circuit for protecting the IC chip against ESD. 集成电路芯片的ESD保护电路可以包括隔离型NMOS晶体管,该隔离型NMOS晶体管可以包括将背栅与衬底隔离的隔离区域,以及形成在背栅上的第一和第二掺杂区域以及栅. IC chip...
ESD ESD防护分析防护分析 ESD防护概述防护概述 ESD防护的目标防护的目标 一般为IC晶片一般为晶片随着IC的工作电压的进一步降低的工作电压的进一步降低、随着的工作电压的进一步降低、工作频率的不断提升、更细的线宽制程，不断提升、更细的线宽制程，其ESD防护问题防护问题日益凸显COSTDOWN的迫切需求，PORTBLE的迫切需求，...
该资料介绍了HUAXUANYANG HXY公司生产的ESDALD05UJ2X型3通道超低电容轨clamp ESD保护二极管阵列。该产品具有极低的漏电流、工作电压为5V、低钳位电压等特点,符合多项国际标准,适用于多种电子设备中的静电防护。 华轩阳电子 - 3-CHANNEL ULTRA LOW CAPACITANCE RAIL CLAMP ESD PROTECTION DIODES ARRAY,ESD PROTECTION...
本申请要求2008年12月16日提交的、题为“Isolated NMOS-Based ESD Clamp Cell”的美国临时专利申请第61/122,855号的优先权,在此通过引用将其全文合并于此。 技术领域 本发明一般涉及保护集成电路(IC)免受静电放电(ESD)。特别地,本发明涉及一种用于使用隔离型NMOS晶体管保护IC免受ESD的装置和方法。 背景技术 集成...
RailClamp TVS diodes are ultra low capacitance devices designed to protect sensitive electronics from damage or latch-up due to ESD, EFT, and EOS.