4. 电场感应模式(Field-Induced Model,FIM) 此FIM模式的静电放电发生是因电场感应而起的。当IC因输送带或其它因素而经过一电场时,其相对极性的电荷可能会自一些IC脚而排放掉,等IC通过电场之后,IC本身便累积了静电荷,此静电荷会以类似CDM的模式放电出来。有关FIM的放电模式早在双载流子(bipolar)晶体管时代就已被...
2.MM：Machine Model，机器模型 机器模型的等效电路与人体模型相似，但等效电容(Cb)是 200pF，等效电阻为 0，机器模型与人体模型的差异较大，实际上机器的储电电容变化较大，但为了描述的统一，取 200pF。由于机器模型放电时没有电阻，且储电电容大于人体模式，同等电压对器件的损害，机器模式远大于人体模型。3.C...
JESD22-C101标准推荐的CDMESD测试的电压水平为:125V、250V、500V、1000V。不建议进行超过1000V的测试。 *注:也可以使用本标准以前版本中推荐的电压水平(100 V、200 V、500 V和1000 V)。 为了更精确地确定器件的CDMESD阈值,除了上述建议的电压外,还允许在>=100 V和<=1000 V的任何电压水平下进行测试。 测试...
2.MM:Machine Model,机器模型 机器模型的等效电路与人体模型相似,但等效电容(Cb)是 200pF,等效电阻为 0,机器模型与人体模型的差异较大,实际上机器的储电电容变化较大,但为了描述的统一,取 200pF。由于机器模型放电时没有电阻,且储电电容大于人体模式,同等电压对器件的损害,机器模式远大于人体模型。 3.CDM:Charg...
3.CDM:Charged Device Model,充电器件模型: 半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传 递用的塑料容器等)相互磨擦,就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。CDM 模型就是基于已带电的器件...
ESD产生的原因较多，对于集成电路电子元件产品，常见的ESD 被分类为下列三类，分别是：人体放电模式(HBM, Human Body Model),机器放电模式(MM, Machine Model)以及元件充电模式(CDM, Charge Device Model)。人体放电模式(HBM, Human Body Model)指人体通过磨擦或其他原因积累了静电，而静电没有释放时，当人碰触...
半导体器件的 ESD 测试带电器件模型( CDM )及静电敏感度分级 一、 ESD 带电器件模型 带电器件模型( Charged-Device Model - CDM )是第三种重要的元器件静电放电耐受阈值的测试方法。 CD
3.CDM:Charged Device Model,充电器件模型: 半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传 递用的塑料容器等)相互磨擦,就会使管壳带电。器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。CDM 模型就是基于已带电的器件...
上述特性使 CMOS IC 的 CDM ESD 保护更具挑战性。Evolution of Charged Device Model ESD Target Requirements - In Compliance Magazine芯片内部的静电荷积累缓慢，不会对芯片造成任何损坏。但由于放电路径的寄生阻抗（包括电阻和电感）很小，上升时间和持续时间与HBM相比极短，可能会产生放电CDM 电流高达数十安培。等...
在讲ESD的原理和Process之前,我们先讲下ESD的标准以及测试方法,根据静电的产生方式以及对电路的损伤模式不同通常分为四种测试方式:人体放电模式(HBM: Human-Body Model)、机器放电模式(Machine Model)、元件充电模式(CDM: Charge-Device Model)、电场感应模式(FIM: Field-Induced Model),但是业界通常使用前两种模式来...