1.5 CDM的静电放电测试 由于组件充电模式(CDM)的静电放电机制与前述的HBM及MM 放电机制不同,因此CDM的静电放电测试如下图所示。 图五 首先,静电电压被充入该集成电路的基体之中,并储存在其基体之中,为避免充电过程造成IC损伤,因此充电电压必须经由一高电阻值(10MΩ以上)的限流电阻对IC基体充电,对P型基体之IC而...
试验接受条件:ESD-CDM 测试前后电流-电压曲线在参考电流下电压的改变量不超过30%以及包络线失效范围不超过±10% ESD-CDM 测试等级分类 等级 电压范围 (V) C0a < 125 C0b 125 至 < 250 C1 250 至 < 500 C2a 500 至 < 750 C2b 750 至 < 1000 C3 ≥ 1000 仪器与设备 ...
MM测试标准主要有:EIAJ-IC-121,JESD22-A115B;图3和图4分别是JESD22-A115B中规定的MM测试电路模型和典型放电电流波形。 图3 MM测试电路模型 图4 MM电流波形 按JESD22-114E进行测试时波形发生器提供的峰值电流与信号上升时间如下表: 1.3、组件充电模型(CDM) 半导体器件在生产装配、传递、试验、测试和运输及存...
汽车电子理事会(AEC)目前有一个CDM小组委员会,其正在更新Q100-011(集成电路)和Q101-005(无源器件)车用器件CDM标准文件以纳入JS-002,并结合AEC规定的测试使用条件。这些工作预计会在2017年底完成并获批准。 结语 观察ESDA提供的CDM ESD路线图,可知在更高IO性能的驱动下,CDM目标级别会继续降低。制造业对器件级CDM E...
必须存在这些电感器才能产生 MM 测试方法所需的振荡波形。然而,电感器实际上减慢了 MM 波形,因此 MM 不能像 CDM 那样代表非常快的金属对金属接触放电。另一方面,CDM测试直接表现为提升封装电位,直接将管脚接地产生快速放电。不能依靠 MM 来准确模拟快速金属对金属接触放电。MM 模型的应力电流水平远高于 HBM 模型的...
工程时）➢ MM （机器模型）Machine Model：模拟生产加工过程中，生产设备对芯片产生ESD放电• 目前仅日本厂商有强制性要求，JEDEC已经作废• 样品一般为3颗/组，也可以1颗/组(工程时）➢ CDM （人体模型）Charged Device Model：模拟芯片运输过程出现内部电荷累计条件下的ESD放电• 通常测试条件为200V，500...
图2 ESD-CDM测试设置(顶部)从放电事件生成波形(底部)。 CDM电流高于HBM电流,因为路径中没有限流电阻来限制放电。对于500 V测试电压,电流波形上升时间通常约为400 ps,峰值电流约为6 A,持续1.5至2 ns。对于1000V测试电压,峰值电流大小约为12A。 机器模型 ...
●带电器件模型(CDM)测试:该测试方法包括通过带电器件(如IC封装)释放高压脉冲,以模拟器件处理或组装过程中可能发生的静电放电。CDM测试方法通常用于测试电子设备对静电放电的敏感性。 ●IEC 61000-4-2测试:该测试方法包括通过探针释放高压脉冲,以模拟电子设备暴露于静电放电事件时可能发生的静电放电。IEC 61000-4-2测...
通常,HBM ESD 测试的应力水平大约是 MM ESD 测试条件的 10 倍。此外,HBM 测试的保护电压水平通常为 2 kV,而 MM 测试的保护电压水平为 200 V,CDM 测试的保护电压水平为 500 V。CDM、HBM 或 MM 之间没有相关性。因此,HBM 和 CDM 测试通常用于ESD 保护电路测试。I 的持续时间越长静电放电导致片上ESD结构...