这通常通过集成专门的ESD保护电路来实现。这些保护电路能够在静电放电事件发生时迅速导通，将静电电荷泄放到地，从而保护芯片内部的电路不受损害。芯片抗ESD的主要设计方法包括设置保护结构、采用抗ESD设计规则、应用多层互连技术、实施局部保护策略以及进行ESD仿真和测试。设置保护结构是基础且有效的策略。
概念 静电抗扰度测试是用来评估设备或系统在遭受静电放电时抵抗干扰的能力的试验。 特点 频谱宽 静电放电的频谱宽度可以从几十兆赫(MHz)延伸到几千兆赫(GHz),甚至更高。这种宽频谱的电磁辐射会对周围的电子设备造成干扰,甚至可能损坏设备内部的电路。 电磁场幅度强 静电放电产生的电磁场幅度可以达到几百伏/米甚至更...
这意味着当通过一个330Ω电阻给一个150pF电容放电时,ESD保护二极管能够抵抗15kV的电压。 ST最近扩充了保护二极管阵列产品线,推出了一个名为M6的微型封装。新产品比现有的SOT323和SOT666节省PCB空间高达75%和45%。 超高速数据线路保护 按照目标应用的信号传输速度选择TVS二极管是设计高效ESD保护功能的关键之一。基本上...
ESD，即静电放电，是由不同电势物体间突然产生的电流所引发，其产生原因多样，如摩擦、空气运动等。静电放电可能对电子元件产生损害，因此需要通过ESD测试来评估电子设备抵抗静电放电的能力，确保产品质量。这种静电放电现象对静电敏感的电子元件构成潜在威胁，可能导致其性能受损甚至损坏。为了评估电子设备在面对静电放电时的...
失效模式:未配置ESD器件时,芯片内部PN结可能因过压发生熔融(如图示典型CMOS电路损伤)。 总结 ESD器件是电子设备抵抗静电放电的第一道防线,通过快速响应、能量转移和电压限制,将危险的瞬时高压/大电流旁路,避免敏感电路受损。两者关系可概括为:静电放电是威胁源,ESD器件是主动防护手段,共同构成现代电子设备可靠性的基础保...
EMC是一个综合性的概念，它涵盖了EMI和EMS两个方面。EMI是设备向外部发射的电磁能量，可能对其他设备造成干扰；而EMS则是设备对外部电磁干扰的抵抗能力。因此，可以说EMC是设备“内外兼修”的结果。同时，ESD作为EMI的一种特殊形式，其产生的静电放电也可能成为电磁干扰的来源，对设备的正常运行构成威胁。在电子设备中...
当电子元件或器件在静电场的作用下时,其内部会产生很高的电压,如果该电压超过一定的阈值后就会发生击穿现象。为了防止这种击穿现象的发生,可以采取一些ESD防护技术来防止静电对电路的破坏和影响。 二、常见的ESD防护技术 1. 采用抗静电器件 抗静电器件是一种能够抵抗...
依据国际电工委员会(IEC)标准IEC61000-4-2,ESD防护级别可衡量物体抵抗静电放电能力的指标,主要分为接触放电和空气放电。前者通过导电物体接触设备表面,后者在靠近时通过空气间隙放电。ESD防护等级是根据产品的静电敏感性制定的,主要评估不同环境中产品的静电防护能力,通常从ESD1到ESD4,级别越高静电抵抗能力越强。
ESD现象 01 02 03 摩擦起电 两种不同材料相互摩擦时，其中一种材料失去电子带正电，另一种材料得到电子带负电 空气放电 高电压静电场中空气电离，形成电场中电流的通道 接触放电 不同物体接触时，电子从一个物体转移到另一个物体产生电位差 ESD的危害 电子元件损坏 ESD产生的高电压和电流可能导致电子元件内部结构...
异常的ESD电流最终是要通过ESD器件承担的,良好的ESD器件能够提高芯片抵抗ESD的能力。最终ESD保护器件还是要集成到芯片中使用,所以的ESD设计中要考虑其与内部电路的相互作用。若设计搭配不当,不但内部电路无法正常工作,而且ESD来临时ESD器件也无法发挥正常的功效。 就ESD防护器件的设计而言,缺乏ESD应力下的物理模型,难以...