从东沃RS-485总线接口雷击浪涌过压及静电保护方案图一可以看出，RS-485总线一级防护，东沃技术推荐选用三端GDT陶瓷气体放电管3R90A-TP1做浪涌过压防护，中间选用自恢复保险丝DW-MSM050作过流保护，二级防护选用SM712，专用于RS-485通讯传输接口保护而设计的ESD静电保护二极管：内部采用双路双向结
一、USB外壳的防护首先,前面已经提到,所有的USB设备接口均为金属外壳,所以按照ESD测试标准,一般我们采用接触放电的方式,当然,也存在某些接口金属过于内缩,影响直接接触,这时则必须采用空气放电的方式,有时候放电方式的选择很重要。接下来,我们需要熟悉一下ESD放电的回流路径,如下图: 在这里,顺便解释一下,同EMI分析一...
东沃JTAG接口浪涌静电保护方案图(ESD二极管篇) 从方案图中可知,东沃电子技术推荐选用4颗ESD二极管DW03DPF-B-S为其接口保驾护航。东沃DW03DPF-B-S5工作电压3.3V、钳位电压9.4V、低漏电流0.5uA、结电容低至60pF。根据IEC 61000-4-2,可用于提供高达±30kV(空气放电)/±30kV(接触放电)的ESD保护;根据IEC 61000-4...
SD/TF卡高速数据传输接口选用ESD二极管DW05-4R-S,工作电压5V、峰值脉冲电流15A、钳位电压20V、结电容低至0.75pF,保证数据传输的可靠性和稳定性。在不影响数据传输的前提下,方案满足IEC 61000-4-2 Level 4静电放电防护需求,让后端的电路能够得到全面有效的防护,且做到低成本。 东沃SD/TF卡静电浪涌保护专用TVS/ESD...
从V-By-One接口ESD静电防护方案图中可以看出,选用的是ESD静电保护二极管DW05-8R39,DFN5515-18L封装,最大工作电压5V,峰值脉冲电流3.5A,钳位电压26V。有关ESD静电二极管DW05-8R39详细参数和特性,可向东沃电子索取。想了解更所有关V-By-One接口ESD静电防护方案,欢迎与东沃电子沟通交流:136 7581 6901(微信同号)朱...
图五.ESD Lateral Bipolar中Emitter与Collector间距对Trigger Voltage的影响。 F:三极管中Collector/Emitter的Finger个数。目前有两种设计趋势,一种是单一器件中多个Finger以提升ESD防护能力。一种是单个器件中Finger数目有限,并联多个Multiplier以提升ESD防护能力。Fingers的匹配特性不如Multiplier,且过度失配会造成开启不均匀,...
除了高传输速率要求之外,USB3.0端口热插拔动作(即插即用、随拔即关)引入的ESD静电放电等瞬时噪声也会造成电子系统工作异常,甚至导致USB3.0端口组件损坏。为此,我们必须采取措施保护USB 3.0端口免受浪涌静电的威胁和损坏。接下来,专业TVS二极管厂家及电路保护解决方案服务商东沃电子针对USB 3.0端口浪涌静电问题进行全方位...
Wi-Fi 6E天线在6GHz无线频谱上运行，为此，天线收发器接口进行浪涌静电防护时，需要选用低结电容ESD二极管以最大限度地减少插入损耗和回波损耗。东沃Wi-Fi 6E路由器Wi-Fi天线收发器接口浪涌静电保护方案图如下所示：从图中可以看出，东沃技术选用了低电容、高线性度ESD静电保护二极管DWC1825NS，用于保护Wi-Fi 6E天线...
电路级ESD防护方法 1、并联放电器件 常用的放电器件有TVS,齐纳二极管,压敏电阻,气体放电管等。如图 1.1、齐纳二极管( Zener Diodes ,也称稳压二极管 ):利用齐纳二极管的反向击穿特性可以保护 ESD敏感器件。但是齐纳二极管通常有几十 pF 的电容,这对于高速信号(例如 500MHz)而言,会引起信号畸变。齐纳二极管对电源上的浪...
C接口静电放电保护方案是根据USB Type-C不同的pin脚功能分别采用小体积低结电容ESD静电保护二极管DW05DRF-B-E、DW05DPF-B-S、DW05DUCF-B-E和大通流TVS二极管DW24P4N3-S,导通电压精确、响应速度快、寄生电容值低、钳位电压低,在不影响数据传输的前提下能够满足 IEC61000-4-2 Level 4 静电放电防护需求,且...