首先,介绍了被保护电路的ESD防护设计窗口定义及相关主要电学参数;概述了常用的ESD仿真与测试技术;简述了传统SCR器件的工作原理,探讨了可适用于高压与低压制备工艺中窄小ESD设计窗口的基本ESD防护设计方法。其次,基于0.25-μm BCD高压工艺,设计了内嵌MOS的N跨桥SCR(SCR_N_MOS)和内嵌纵向NPN的SCR(VSCR)两种新型器件。
但是器件的触发电压或维持电压无法同时满足5 V IC的ESD设计窗口.与传统SCR器件相比,具有不同阳极版图的两种VSCR器件的电压回滞幅度分别缩小了21.0 V和37.4 V,单位面积的ESD鲁棒性分别可提高8.0倍和8.5倍,其中具有叉指状阳极版图的VSCR器件的电学参数可满足18 V IC的ESD防护设计窗口.再次,基于0.18-μm CMOS低压...
西安泓森半导体有限公司是一家专业从事集成电路设计、销售的高科技企业。座落于西北地区第一大城市西安,秦创原创新驱动平台总窗口——西咸新区(沣东新城科统区内),目前沣东新城为发展核心区。公司在沣东核心CBD自购办公区域,临近西北第一高498写字楼。位于科创大轴线上,东接西安主城区,南临西安高新区,西至沣西新城、...
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