基于高压工艺和MM模式下的ESD防护设计与研究的开题报告一、研究背景与意义静电放电(ESD)是电子元器件和集成电路(IC)制造过程中经常遇到的问题,它会对电子零件和设备的性能和可靠性造成损害,严重时还会引起火灾、爆炸等安全隐患。因此,对ESD的研究和防护是电子工程领域中一个非常重要的研究方向。高压工艺和MM模式是两种...
ESD人体模型等效电路图及其ESD等级 2.MM:Machine Model,机器模型: 机器模型的等效电路与人体模型相似,但等效电容(Cb)是 200pF,等效电阻为 0,机器模型与人体模型的差异较大,实际上机器的储电电容变化较大,但为了描述的统一,取 200pF。由于机器模型放电时没有电阻,且储电电容大于人体模式,同等电压对器件的损害,机...
ESD3015THBM/MM模式半导体静电放电发生器的详细资料: 参数 ESD3015T 模式 人体模式HBM 机械模式MM 输出电压 0.1～±8kV,精度5% 100～±800V,精度5% 输出电压极性 正/ 负 放电网络 100PF/1500Ω 200PF/0Ω 工作形式 放电时间间隔可以设置在1～ 9.9s 之间 ...
本论文从基于高压工艺的集成电路自防护,外防护以及MM模式防护三方面入手,深入研究了ESD(Electrostatic-Discharge,静电放电)防护的相关问题,主要包括防护策略,防护器件内部机理及设计验证.论文使用TLP(Transmission-Line-Pulsing system,传输线脉冲)系统,半导体参数测试仪等专用设备对防护方案进行综合评估,获得了一些具有新颖性...
结果表明:0.13μm硅工艺Ic产品芯片ESD失效可发生在任一输入/输出(I/O)管脚与地/电源之间;失效模式主要为金属熔融,介质击穿和MOS管过流烧毁;失效原因为静电压导致I/O与地(GND)之间的ESD保护电路NMOS管漏端击穿烧毁引起大电流,造成金属局部发热达到Al的熔点发生熔融而致短路,I/O与电源之间的过电压造成GND的焊盘...
0.13μmIC产品MM模式ESD失效机理 吴峰霞,申俊亮,蔡斌 (北京南瑞智芯微电子科技有限公司,北京100192) 摘要:对静电放电(ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研 磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常现象定位,通过剥层技术查找发生在 ...
13 μm IC 产品 MM 模式 ESD 失效机理吴峰霞,申俊亮,蔡斌(北京南瑞智芯微电子科技有限公司,北京 100192)摘要:对静电放电 (ESD)测试所得到的失效样品进行了物理失效分析,采用塑封体背面研磨、光发射显微镜(EMMI)从背面抓取热点的方法进行异常现象定位,通过剥层技术查找发生在金属化系统及器件层的各种缺陷,定位发生...
百度试题 结果1 题目下面不属于ESD基本模式的是( )——[单选题] A. HBM:Human Body Mode B. MM:Machine Mode C. HMM:Human Machine Mode D. CDM:Charged Device Mode 相关知识点: 试题来源: 解析 C 反馈 收藏
3种ESD模型分别是HBM模式、MM模式、CDM模式。 答案:正确 手机看题 你可能感兴趣的试题 判断题 材料的电特性分为绝缘体、导体、静电耗散材料三种。 答案:正确 手机看题 判断题 静电放电指的是由静电场引起的在两个不等电位物体之间的放电现象。 答案:正确 手机看题 判断题 产线内防静电地板相当于一个大的接地...
ESD-606G 电压范围 0.01~8kv 输出极性 正/负 放电电容 人体模式:100pf 机械模式:200pf 放电电阻 人体模式:1.5kΩ 机械模式:0 Ω 工作形式 自动放电 放电次数 1~9999 放电间隔 0.1~99.9s 工作电源 AC220V±10%,50/60Hz 环境温度 15-35℃ 内包装尺寸(长×宽×高) ...