ESD电容的计算公式如下: C=(I*t)/V 其中,C表示需要的电容值,单位为法拉(F);I表示ESD冲击时的电流,单位为安培(A);t表示ESD冲击的时间,单位为秒(s);V表示ESD冲击的峰值电压,单位为伏特(V)。 需要注意的是,ESD电容的值通常需要在实际电路中进行调整和优化,以确保最佳的ESD保护效果。因此,在设计ESD保护电路时,应该综合
1.IC允许的最大ESD脉冲能量W0如何计算? W0=(Vesd0-Vcl)*Vcl*Cesd0 其中Vesd0表示规格书中IC允许承受的最大ESD电压(比如下图的5000V),可以在规格书中找到这个参数,Vcl表示IC内部ESD防护模块的钳位电压(比如下图的64V),Cesd0表示ICESD测试的放电电容(比如下图的100pF)。 2.添加外部ESD电容后,IC实际吸收...
假定,Co=1nF,Cx=99nF,ESD放电峰值电压8KV,那么Vx电压最大为80V,这就意味着在端口放置99nF的电容能将8kV的静电电压削减到80V,如果想更低,那么加大电容量即可,但是需要注意加大电容量对于高频信号线通信速率会有影响。 但是电容容量会受到很多因素影响,比如直流电压降额,交流电压降额,温度等因素影响,可以参考这...
电容两端最终的电荷是:Qfinal=Cfinal*Vfinal;其中Cfinal 是 C1和C ESD的并联电容值, Vfinal是施加在IC引脚上的等效静电放电电压,这也是电容C1将承受的电压。Cfinal =C1+C ESD; 根据电荷守恒:Qinitial=Qfinal; C ESD*V ESD=Cfinal*Vfinal; 那么Vfinal可以计算如下: 电容C1可以计算如下: 以上就是当电容用...
计算ESD 电容 思考 容抗计算公式 : 理论上,对于高频信号(ω↑),明显电容越大(c↑),容抗更小(Xc↓),这样高频信号才更容易通过? 一、电容等效效应 理想的电容由C构成,当然生活中不存在理想的电容,所以实际电容通常需要等效成电容 + 寄生电感(ESL效应)+ 寄生电阻(ESR效应)的串联形式...
USB ESD电容计算 -我们了解了电容器的特性取决于材料及外壳的不同。下面请介绍一下在实际用于开关电源电路时,其特性和性质具体会带来什么样的影响。 在开关电源电路中需要有输入电容器与输出电容器,它们各自处理的电压与电流的性质是不同的。因为将输入与输出分开讲解更容易理解,所以从输入电容器开始说明。为慎重起见...
瓷片电容的ESD计算 DiscussionofTraditionalProtectionMethods INTEGRATIONCAPACITORRULE:NOTAGOODIDEA•capacitorshaveanESDvoltageresponsecapdropswithESDvoltage•capacitorsshort(orIRdamaged)withESDstrikes•capacitorsdon’tclampanything–ESDcanbemultipulse CONSERVATIONOFCHARGECANBEUSEDTODETERMINEVOLTAGERESPONSEHBM Cdriver*V...
INTEGRATIONCAPACITOR(SINGLESHOT)ESDRESPONSE 0 1000 2000 3000 4000 5000 6000 7000 8000 9000 1101001000 cap(pf) I n t e g r a t o r c a p v o l t a g e 2KVESD 4KVESD 6KVESD 8KVESD
如图所示.有的计算机键盘的每一个键下面连一小块金属片.与该金属片隔有一定空气隙的是另一片小的固定金属片.这两片金属片组成一个小电容器.该电容器的电容C可用公式C=ESd计算.式中常量E=9×10-12F/m.S表示金属片的正对面积.d表示两金属片间的距离.当键被按下时.此小电容器
如图所示.有的计算机键盘的每一个键下面连一小块金属片.与该金属片隔有一定空气隙的是另一片小的固定金属片.这两片金属片组成一个小电容器.该电容器的电容C可用公式C=ESd计算.式中常量E=9×10-12F/m.S表示金属片的正对面积.d表示两金属片间的距离.当键被按下时.此小电容器