ESD破坏是现代电子行业不可忽视的问题,其影响不仅表现在器件本身的失效,还可能导致整机设备的不稳定或故障。通过深入了解ESD的破坏机理以及对电子器件的敏感性,可以更有效地采取针对性的防护措施,从而提升产品的可靠性和使用寿命。
上文介绍了ESD的基本知识,对ESD的测试标准进行了解析,包括静电发生器的介绍,实验布置要求,静电放电实验的实施及判定等内容。 本文主要介绍ESD的干扰机理。 一、静电放电产生的原因及途径 1.1 静电产生的原因 物质都是由分子组成,分子是由原子组成,原子中有带负电的电子和带正电荷的质子组成。在正常状况下,一个原子...
静电放电(ESD)是电子设备和组件在生产、运输和使用过程中常见的一种静电现象。当带电物体与电子器件接触或靠近时,电荷快速转移会形成瞬间高电压和大电流,这种现象可能对电子器件造成不可逆的损害。以下将详细分析ESD对电子器件的破坏机理及其后果。 1.ESD破坏的基本机理 ESD破坏通常是由瞬态高压和大电流引发,主要...
ESD 机理 半导体器件常常因静电放电而失效。弄清楚失效的根源并遵守设计规则，就有助于避免这种失效。 ESD（静电放电）是导致电子器件失 效的主要原因，它可以在任何阶段——从制造到测试、组装、生产、现场运行以及现场 PC 装配等——影响电子器件的功能。专家估计，1994 年全世界电子行业因 ESD 造成的损失超过...
ESD 的產生取決於物體的起始電壓、電阻、電感和寄生電容: 1. 可能產生電弧的實例有人體、帶電元件和機器。 2. 可能產生尖峰電弧的實例有手或金屬物體。 3. 可能產生同極性或者極性變化的多個電弧的實例有家具。 ESD 可以藉由五種耦合途徑進入電子設備: 1. 初始的電場能容性耦合到表面積較大的網路上,並在離 ...
ESD的产生取决于物体的起始电压、电阻、电感和寄生电容：可能产生电弧的实例有人体、带电器件和机器。可能...
静电放电(ESD)作为电子设备可靠性测试的关键指标,其防护设计直接影响产品的市场准入和使用寿命。不同于传统认知中仅关注元件损伤,现代电子产品还需防范静电引发的系统死机、数据丢失等软性故障,这对设计者提出了更高要求。 一、ESD作用机理与测试标准 1.静电放电本质是瞬时高电压(可达30kV)与微安级电流的复合作用,其...
在前两期文章中,我们讲到了什么是ESD以及ESD的标准,这一期我们讲一讲ESD失效机制。 导致半导体器件和电路的失效的机理大概有三种:热失效、电失效和电磁干扰失效。 当静电放电产生的电流通过电子元件时,会产生大量的热量。如果热量不能及时散发出去,就会导致元件温度升高,超过其承受极限,从而造成热失效。
1.初始的電場能容性耦合到表面積較大的網路上,並在離ESD電弧100mm處產生高達4000V/m的高壓。 2.電弧注入的電荷/電流可以產生以下的損壞和故障: a.穿透零組件內部薄的絕緣層,損毀MOSFET和CMOS零組件的柵極(常見)。b. CMOS元件中的觸發器鎖死(常見)。c.短路反偏的PN結(常見)。d.短路正向偏置的PN結(少見)。
半导体器件的静电损伤,其失效机理可分为两类:一类是与电流有关的失效,如PN结的损伤,接触孔合金钉,金属/多晶硅互连线或电阻烧坏;另一类是与电压有关的失效,ESD引起栅氧化层击穿是最常见的电压型失效。 2.1电流型损伤机理 (1) PN结的损伤和接触孔合金钉 ...