利用SAB(SAlicide-Block)在I/O的Drain上形成一个高阻的non-Silicide区域,使得漏极方块电阻增大,而使得ESD电流分布更均匀,从而提高泄放能力;2、增加一道P-ESD (Inner-Pickup imp,类似上面的接触孔P+ ESD imp),在N+Drain下面打一个P+,降低Drain的雪崩击穿电压,更早有比较多的雪崩击穿电流(详见文献论文: Inner...
ESD二极管型保护器件主要由PN结组成,其原理是在过电压时,直接将电流引至地或供电线上,来达到限制电压的作用。 ESD MOS型保护器件主要由N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)组成。当输入信号在超过器件工作电压范围时,上述结构会将能量引导到地或电源线上以减轻潜在损害。其中PMOS类型的保护器件具有极低的时间延迟和...
PTC,TVS,ESD电子工程师2 人赞同了该文章 静电是基本的电力之一,是电荷在两个物体之间建立起来的电力。在比较干燥的冬季,我们常常在脱毛衣的时候会听到啪啪的声响,或者用手开车门的时候会被电一下,这个就是静电,它是一种静止状态的电荷。 静电的产生 就静电而言,是一个物体有多余的电子,而另一个物体则电子不足...
在讲ESD的基本原理和Process以前,大家先讲下ESD的规范及其测试标准,依据静电的产生方法及其对电源电路的损害方式不一样通常分成四种检测方法:身体充放电方式(HBM: Human-Body Model)、设备充放电方式(Machine Model)、元器件电池充电方式(CDM: Charge-Device Model)、静电场磁感应方式(FIM: Field-Induced Model),可是...
ESD保护器件原理基于静电集电的方式,能够迅速地吸收电路中的ESD电流,将它们导向接地或信号线,从而保护主要电子设备免受损坏。在ESD事件发生时,保护器件会具有非常低的电阻值,并通过快速放电将ESD当前通道上的电流释放到地面或另一个反向电压极最小的端口。
ESD保护原理 电路保护元件存在几种技术,当选择电路保护元件时,若设计师选择不当的保护器件将只能提供错误的安全概念。电路保护元件的选择应根据所要保护的布线情况、可用的电路板空间以及被保护电路的电特性来决定。此外,了解保护元件的特性知识也非常必要,需要考虑的重要因素之一是器件的箝位电压。所谓箝位电压是在ESD...
ESD分析原理示 理论上本案例出现的问题还存在一种可能,那就是以上几种静电放电对于设备影响种类中的(3)。M25P64-VME6TG只是很难用试验来区分到底是哪种方式影响了内部电路,这里也把这种可能出现的情况分析一下。本案例涉及的产品设有接地端子,ESD测试时产品接地,接地端子与RJ一绣连接器的外壳及内部电路的工作地都...
NMOS主要有两种ESD防护应用:一种是之前讲的GGNMOS,另一种是GCNMOS(Gate Coupling NMOS)。现阶段也已经出现了(Bulk Coupling NMOS),接下来这两种ESD防护器件都会进行讲解。 GCNMOS的工作原理与GGNMOS不同,GGNMOS是利用体寄生三极管的开启进行ESD静电流的泄放通路,而GCNMOS则利用了NMOS器件的沟道作为泄放通道。GCNMOS开...
了解了TVS管手册中给出的实际ESD波形中钳位电压是如何测试出来的。了解了为什么我们不能通过看8x20us去评估一个TVS管的ESD性能。并且简单的知道ESD静电测试房的布局和静电枪的内部框图等等。 一般在入门时,往往都在网上或是其他人那里听到一些经验法则: TVS管要放在接口旁边,走线要先过TVS管再到保护器件。