通常EEPROM芯片又分为串行EEPROM和并行EEPROM两种,串行EEPROM在读写时数据 的输入/输出是通过2线、3线、4线或SPI总线等接口方式进行的,而并行EEPROM的数据输入/输出则是通过并行总线进行的。 主要IC有28XX系列。 介绍关于闪速存储器有关知识 近年来,发展很快的新型半导体存储器是闪速存储器(Flash Memory)。它的主
EEPROM——既可局部擦写,又可全部擦写的EPROM; CDROM——只读光盘,是一种在电脑上使用的光碟; Flash Memory——闪速存储器,具有EEPROM的特点,而速度比EEPROM快得多。 根据需要确定写入内容,只能写入一次。EPRO M:紫外线擦写可编程只读存储器。需要修改内容时,现将其全部内 容擦除,然后再编程。擦除依靠紫外线使...
总的来说,对于用户来说,EEPROM和 FLASH没有大的区别,只是EEPROM是低端产品,容量低,价格便宜,但是稳定性较FLASH要好一些。 但对于EEPROM和FLASH的设计来说,FLASH则要难的多,不论是从工艺上的还是从外围电路设计上来说。 Flash Memory指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于EEPROM的改进产品...
EEPROM具有非易失性、可编程性和可靠性等特性,被广泛应用于各种需要存储少量数据的场合。 EEPROM可以按字节进行修改,使用方便灵活,擦写次数相对有限,常用于存储一些需要经常修改但又不频繁大量更新的配置信息等。 10、NAND FLASH和NOR FLASH 定义:NAND FLASH和NOR FLASH都是闪存(Flash Memory)的类型,它们都是非易失性...
1、EPROM 、 EEPROM 、 FLASH 的总结性区别EPROM 、 EEPROM 、 FLASH 都是基于一种浮栅管单元 (Floating gate transister) 的结构。EPROM 的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中,充入的电子只能用紫外线的能量来激出。EEPROM 的单元是由FLOTOX(Floating- gate tunelingoxide transister) 及一个附加的Transister 组成,由于...
Flash memory指的是“闪存”,所谓“闪存”,它也是一种非易失性的内存,属于 EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定,不同厂家的产品有不同的规格), 而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上,用来保存BIOS程序,便于进行程序的升级。其另...
FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程(EEPROM)的性能，还不会断电...
EEPROM:用电可擦除的可编程只读存储器 。 CDROM :只读型光盘 Flash Memory :快擦型存储器,是性能价格比好,可靠性高的可擦写非易失型存储器 根据需要确定写入内容,只能写入一次。EPRO M:紫外线擦写可编程只读存储器。需要修改内容时,现将其全部内 容擦除,然后再编程。擦除依靠紫外线使浮动栅极上的电荷泄露而...
EEPROM、EPROM、RAM、ROM与FLASH的主要区别如下：RAM：特点：高速临时存储介质，用于存储操作系统和当前运行的程序。非易失性：不具备，断电后数据丢失。成本：每千字节存储成本相对较高。ROM：特点：数据持久性，断电后数据依然保存。非易失性：具备，用于存储重要且不易改变的数据和程序。可编程性：传统...
EEPROM:电擦写可编程只读存储器。 CDROM:只读型光盘。 Flash Memory:闪速存储器。或称快擦型存储器。 根据需要确定写入内容,只能写入一次。EPRO M:紫外线擦写可编程只读存储器。需要修改内容时,现将其全部内 容擦除,然后再编程。擦除依靠紫外线使浮动栅极上的电荷泄露而实现。EEPRO M:电擦写可编程只读存储器。