铟镓砷 InGaAs 高速光电探测器 ET-5000F, >10 GHz 美国EOT 产品总览 筱晓光子公司代理美国的EOT(Electro-Optics Technology)公司全线产品 EOT 的 >10 GHz 光电探测器包含 PIN 光电二极管,利用光伏效应将光功率转换为电流。当端接到示波器的 50 Ω 电阻时,可以测量激光的脉冲宽度。当端接到频谱分析仪的 50 Ω ...
ET-3500、ET-4000适合短波可见光区域,3500F、ET-3600、ET-4000F适用于近红外I区的应用,ET-5000、ET-5000F适用于近红外II区。型号确定的含义: 2代表Silicon,3代表InGaAs,4代表GaAs,5代表Extended InGaAs,ET是厂家EOT的缩写。 短波近红外铟镓砷光电探测器,三元系材料InxGa1-xAs是由GaAs和InAs形成的混合固溶体的...
ET-5000F Detector Type PIN PIN Rise Time/Fall Time (ps) 28 28 Responsivity (A/W at 2000nm) 1.3 0.95 Bandwidth >12.5GHz >12.5GHz Active Area Diameter (μm) 40 40 2um放大高速探测器 Model No. ET-5000A ET-5000AF Detector Type
ET-5000 ET-5000F ET-5000A ET-5000AF 上升/下降时间 <25ps/<25ps <30ps/<30ps <40ps/<40ps <6ns/<250ps <40ps/<40ps 响应度@1300nm 0.9A/W @1300nm >900V/W @1300nm 1.3A/W @2000nm 1300V/W @2000nm 带宽 >15GHz >12.5GHz 20kHz-9GHz >12.5GHz 20kHz-9GHz 资料下载 询问表格 提...
ET-5000F Detector Type PIN PIN Rise Time/Fall Time (ps) 28 28 Responsivity (A/W at 2000nm) 1.3 0.95 Bandwidth >12.5GHz >12.5GHz Active Area Diameter (μm) 40 40 2um放大高速探测器 Model No. ET-5000A ET-5000AF Detector Type
ET-2000、ET-2020、ET-2030、ET-2040、ET-3000、ET-3010、ET-3020、ET-3040、ET-2030A、ET-3000A、ET-2030TTL、ET-3000TTL、ET-3500、ET-3500F、ET-4000、ET-4000F、ET-3500A、ET-3500AF、ET-4000A、ET-4000AF、ET-5000、ET-5000F、ET-5000A、ET-5000AF、ET-6000 技术资料: InGaAs光电探测器: ...
ET-5000 ET-5000F ET-5000A ET-5000AF 上升/下降时间 <25ps/<25ps <30ps/<30ps <40ps/<40ps <6ns/<250ps <40ps/<40ps 响应度@1300nm 0.9A/W @1300nm >900V/W @1300nm 1.3A/W @2000nm 1300V/W @2000nm 带宽 >15GHz >12.5GHz ...
ET-4000F ET-5000 ET-500F ET-3600 ET-3600F 探测器类型 InGaAs InGaAs GaAs GaAs InGaAs InGaAs InGaAs InGaAs 上升/下降时间 <25ps <25ps <30ps <30ps 28ps 28ps 16ps 16ps 响应度 >0.90A/W@1300nm >0.65A/W@1300nm >0.53A/W@830nm >0.38A/W@830nm 1.3A/W@2000nm 0.95A/W@2000nm >...
ET-5000 - >10 GHz 2 µm 扩展 InGaAs 光电探测器 零件号(型号) 120-10105-0001(ET-5000) 120-10104-0001(ET- 5000F ) 探测器材质 铟镓砷 铟镓砷 上升时间/下降时间 28 ps/28 ps 28 ps/28 ps 响应度一 1.3 A/W在 2000 nm 0.95 A/W 在 2000 nm 电源 3伏 3伏 带宽 >10 GHz >10 GHz 有...
根据不同应用需求，EOT提供了多种型号，如ET-3500和ET-4000适用于可见光，ET-3600和ET-4000F针对近红外I区，而ET-5000和ET-5000F则适用于近红外II区。型号中的数字2-5分别代表不同的材料基底。例如，2代表硅，3代表InGaAs，4代表GaAs，5代表扩展InGaAs，ET是EOT的缩写。EOT探测器设计巧妙，如ET-...