DATA0~DATA7:数据总线,双向数据传输模式“上拉”,eMMC默认是1位模式,也可以使用4位或8位。 RSTN:复位引脚,低电平有效,因此一般会为引脚拉上一个电阻,保持默认高电平不复位。 CMD:用于设备初始化和命令传输的双向信号,命令在两种模式下运行,开漏用于初始化,推挽用于快速命令传输。 eMMC芯片的引脚定义与一般的SIM卡...
RSTN通过10K电阻上拉至VccQ并需并联一个0.1uF对地电容，可提高抗干扰能力 。eMMC_CMD外接10K电阻上拉至VccQ，eMMC_D[7:0]预留10K电阻上拉至VccQ，因CMD和Data传输起始位是以低电平开始所以CMD和Data需要默认上拉，实际使用阻值可参考手册。eMMC_Data_Stobe 在eMMC端串电阻，阻值建议为22~33Ω之间，并预留47K...
RSTN:硬件复位输入引脚 VCCQ:控制器供电,支持高压模式2.7 ~ 3.6V和低压模式1.7 ~ 1.95V VCC:Flash存储矩阵供电,1.7 ~ 1.95V VDDi:内部供电节点,非外部电源供应点 CMD:双向命令通道,用于设备初始化和命令传输。命令从主机发送到设备,而响应则从设备发送回主机。CMD信号有两种操作模式:初始化时采用开漏模式,命令传输...
图1 eMMC 扩展电路原理图下面对电路设计进行一些说明: RSTN通过10K电阻上拉至VccQ并需并联一个0.1uF对地电容,可提高抗干扰能力 。 eMMC_CMD外接10K电阻上拉至VccQ,eMMC_D[7:0]预留10K电阻上拉至VccQ,因CMD和Data传输起始位是以低电平开始所以CMD和Data需要默认上拉,实际使用阻值可参考手册。 eMMC_Data_Stobe ...
图8-21:HS400模式下的电容和电阻 8.如何在系统板上连接eMMC 图8-22:eMMC互连示例 1#:利用去耦电容滤除VCC/VCCQ电源噪声 2#:CMD和DATA[7:0]始终通过系统板上的电阻进行上拉,以防止总线浮动 3#:如果总线使用H/W复位,RSTN也上拉 4#:SR_DS和SR_CLK采用串联电阻稳定信号...
RSTN通过10K电阻上拉至VccQ并需并联一个0.1uF对地电容,可提高抗干扰能力 。 eMMC_CMD外接10K电阻上拉至VccQ,eMMC_D[7:0]预留10K电阻上拉至VccQ,因CMD和Data传输起始位是以低电平开始所以CMD和Data需要默认上拉,实际使用阻值可参考手册。 eMMC_Data_Stobe 在eMMC端串电阻,阻值建议为22~33Ω之间,并预留47K下拉...
RSTN通过10K电阻上拉至VccQ并需并联一个0.1uF对地电容,可提高抗干扰能力 。 eMMC_CMD外接10K电阻上拉至VccQ,eMMC_D[7:0]预留10K电阻上拉至VccQ,因CMD和Data传输起始位是以低电平开始所以CMD和Data需要默认上拉,实际使用阻值可参考手册。 eMMC_Data_Stobe 在eMMC端串电阻,阻值建议为22~33Ω之间,并预留47K下拉...
RSTN通过10K电阻上拉至VccQ并需并联一个0.1uF对地电容,可提高抗干扰能力 。 eMMC_CMD外接10K电阻上拉至VccQ,eMMC_D[7:0]预留10K电阻上拉至VccQ,因CMD和Data传输起始位是以低电平开始所以CMD和Data需要默认上拉,实际使用阻值可参考手册。 eMMC_Data_Stobe 在eMMC端串电阻,阻值建议为22~33Ω之间,并预留47K下拉...
包含VCC/VCCQ、CLK、DATA Strobe、DATA0-DATA7、RSTN、CMD引脚。VCC/VCCQ为电源，CLK为时钟输入，DATA Strobe为设备选通，DATA0-DATA7为双向数据总线，RSTN为复位，CMD为命令传输信号。eMMC芯片的PCB设计 设计需考虑电源、接口、布局、防护、散热、测试和调试，以确保性能和可靠性，满足设备需求。电源和...
RSTN 复位引脚,低电平有效,因此一般会为引脚拉上一个电阻,保持默认高电平不复位。 CMD 用于设备初始化和命令传输的双向信号,命令在两种模式下运行,开漏用于初始化,推挽用于快速命令传输。 eMMC芯片的PCB设计 eMMC芯片的PCB设计需要考虑到多个方面,包括电源和接口、布局和走线、防护、散热、测试和调试等,以确保eMMC的...