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相比起NandFlash来说,NorFlash的容量要小,一般在1~16MByte左右,一些新工艺采用了芯片叠加技术可以把NorFlash的容量做得大一些.在价格方面,NorFlash相比NandFlash来说较高,如目前市场上一片4Mbyte的AM29lv320 NorFlash零售价在20元左右,而一片128MByte的k9f1g08 NandFlash零售价在30元左右. NandFlash生产过程更为...
eMMC 里 DDR52 HS200 HS400 这些名词指的是不同的速度 DDR52就是最高 52M clock,数据速率就是 52 x 2 = 104 HS200 就是最高 200M clock,单通道,数据速率也是 200 HS400 也是最高 200M clock,但是是双通道,所以数据速率是 200 x 2 = 400 HS200和HS400 是 5.0 协议才有的。 更详细信息可以从 ...
高速信号完整性：HS400模式下时钟频率200MHz，信号抖动≤50ps； 寿命验证：需模拟极端温度下的数据保持能力（85℃/1000小时）。 存储芯片关键测试方法：1. 功能测试（FT）： 验证读写速度、坏块管理（BBM）、纠错码（ECC）能力； 工具：协议分析仪（如Total Phase Beagle USB 5000）。 2. 性能压力测试：...
1#:HS200和HS400设备必须支持0型驱动程序。 2#:当VCCQ=1.8 V时,标称阻抗由输出驱动器在0.9 V时的I-V特性定义。 3#:当VCCQ=1.2 V时,标称阻抗由0.6 V时输出驱动器的I-V特性定义。 0型驱动程序被定义为eMMC HS200和HS400设备的强制性驱动程序,另有四个驱动程序类型(1、2、3和4)被定义为可选,以允许...
通信方式:通过并行总线进行通信,支持多种模式(如HS200、HS400),最高可达400MB/s的传输速度。 控制器:内置控制器,简化主机设计和软件开发,提供更高的性能和可靠性。 SPI NAND: 接口:SPI NAND使用串行接口,通常只有4根信号线(MOSI、MISO、SCLK、CS)。
总线速度模式:默认速度(26MB/s)、高速SDR(52MB/s)、高速DDR(104MB/s)、HS200(200MB/s)和HS400(400MB/s)。 分区:用于引导目的的引导区域分区,用于以经过身份验证和重放保护的方式将数据存储到特定内存的 RPMB 分区以及用于存储数据的通用用户数据区分区。
图28 执行HS200的流程图 6.6.2.3 HS400 时序模式选择 HS400工作在VCCQ为1V8或者1V2的IO电压下 HS400 模式下,总线宽度设置为8线双倍速率模式 HS400 支持与DDR52 相同的命令 host 完成对EMMC的初始化之后,再读取ext_csd 寄存器的DEVICE_TYPE 字段来查看EMMC 是否支持HS400 模式,接着会在改变时钟频率大于52MHz...
首先在硬件设计上为了让HS200与HS400模式兼容,要给emmc 进行1.8V供电,连接 DS 引脚,原理图如下: HPM6750 对应IO部分进行1.8V供电 程序上,参考下图时序进行配置: 在board.h 文件中开启 emmc 1.8v 电压支持,关闭 SD卡检测引脚,配置如下:(注:该配置方式只适合sdk1.3.0版本) ...