虽然两种方法都类似地调整到相同的VDS在关断期间达到峰值时,缓冲版本明显显示出更短的延迟时间和更好的振铃阻尼。 图2:使用RC器件缓冲器可降低dV / dt,ID / VDS重叠以及SiC MOSFET的振铃。(ID = 50 A,V = 800 V,TO247-4L;左,SiC MOSFET的关断波形,Rg,off = 0Ω,Rs = 10Ω,Cs = 200 pF;右,SiC ...
RC 缓冲器应尽可能靠近开关节点和电源地。在带有外部 MOSFET 的降压转换器中,RC 缓冲器应直接放置在低侧 MOSFET 的漏极和源极之间。图 10 显示了 RC 缓冲器的放置。 图10 缓冲电阻器Rs的目的是为寄生谐振 LC 电路增加足够的阻尼。Rs 的值取决于所需的阻尼和电路的寄生 L & C 组件,由下式给出: 其中ξ ...
缓冲器:一些设计人员会提前规划并为简单的缓冲器电路(从开关节点到GND的简单RC滤波器)提供占位面积。这样可以抑制开关节点的振铃现象(一项产生EMI的因素),但是这种技术会导致损耗增加,从而对效率产生负面影响。 降低边沿速率:减少开关节点的振铃也可以通过降低栅极导通的压摆率来实现。不幸的是,与缓冲器类似,这会对整个...
若辐射水平仍超过要求水平且布局不能再提高,则在TPS61088 SW引脚添加一个RC缓冲器和电源接地有助于降低辐射EMI水平。RC缓冲器应放在尽可能接近开关节点和电源接地(图6)的位置。它可以有效地抑制SW电压环,这意味着在振铃频率条件下,辐射EMI得以改善。 图6. RC缓冲器的布置...
缓冲器:一些设计人员会提前规划并为简单的缓冲器电路(从开关节点到GND的简单RC滤波器)提供占位面积。这样可以抑制开关节点的振铃现象(一项产生EMI的因素),但是这种技术会导致损耗增加,从而对效率产生负面影响。 降低边沿速率:减少开关节点的振铃也可以通过降低栅极导通的压摆率来实现。不幸的是,与缓冲器类似,这会对整个...
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缓冲器:一些设计人员会提前规划并为简单的缓冲器电路(从开关节点到GND的简单RC滤波器)提供占位面积。这样可以抑制开关节点的振铃现象(一项产生EMI的因素),但是这种技术会导致损耗增加,从而对效率产生负面影响。 降低边沿速率:减少开关节点的振铃也可以通过降低栅极导通的压摆率来实现。不幸的是,与缓冲器类似,这会对整个...
型号 EMI/RFI滤波器LCRC网络 技术参数 品牌: 电子元器件 型号: EMI/RFI 滤波器 LC RC 网络 封装: SMD 批号: 2020 数量: 800000 RoHS: 是 产品种类: 电子元器件 最小工作温度: -20C 最大工作温度: 130C 最小电源电压: 4.5V 最大电源电压: 8V 长度: 5.5mm 宽度: 6.5mm 高度: 1.2mm 价格说明 价...
缓冲器:一些设计人员会提前规划并为简单的缓冲器电路(从开关节点到GND的简单RC滤波器)提供占位面积。这样可以抑制开关节点的振铃现象(一项产生EMI的因素),但是这种技术会导致损耗增加,从而对效率产生负面影响。 降低边沿速率:减少开关节点的振铃也可以通过降低栅极导通的压摆率来实现。不幸的是,与缓冲器类似,这会对整个...