1. 通过UV-Vis DRS测试,获取样品在各波长下的吸收情况(如图4所示)。 2. 应用公式(αhv)1/n = A(hv - Eg),其中α代表吸光指数,h为普朗克常数,v是频率,Eg表示半导体的禁带宽度,A为常数。需注意的是,n的值与半导体类型相关:对于直接带隙半导体,n取1/2;而对于间接带隙半导体,n则取2。 3. 根据UV-Vis...
其中,n与半导体类型相关,直接带隙半导体的n取1/2,间接带隙半导体的n为2。 3)利用UV-Vis DRS数据分别求(αhv)1/n和hv=hc/λ, c为光速,λ为光的波长,所作图如图1.5所示。所得谱图的纵坐标一般为吸收值Abs,α为吸光系数,两者成正比。通过Tauc plot来求Eg时,不论采用Abs还是α,对Eg值无影响,可以直接用...
紫外-可见光光谱求带隙的方法 UV-vis Eg过程实录, 视频播放量 2.3万播放、弹幕量 3、点赞数 223、投硬币枚数 90、收藏人数 750、转发人数 247, 视频作者 光语微尘, 作者简介 物理学博士,相关视频:04. Origin处理紫外可见光漫反射(Uv-vis)数据处理及禁带宽度的计算,固体
半导体材料的光学带隙Eg是指其( )之间的能量差。A.导带顶和价带底B.价带顶和导带底C.允带顶和价带底D.导带顶和允带底
对于半导体TiO2而言,带隙能为3.2 eV, 文献中指出对应的吸收波长388 nm。这是根据哪个公式计算的,我需要公式的权威出处(最好英文资料),比如文献或者书籍指出了Eg与波长的关系。 展开 0评论 +关注 共1个回答 清辞.,化工研发 2019-03-11回答 不知道在哪里上传图片,这是一个很简单的换算关系,光子能量hv,单位...
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带隙(Eg)宽2.3-3.3eV;临界击穿电场强度(Eb)高,比Si高一个量级;电子饱和漂移速率(υs)大,是Si的2倍;热导率(K)大,约为Si的2-3倍,甚至优于铜;介电常数(εr)低 应用:高频、微波器件;大功率器件;耐高温器件;光电器件;耐辐射及高能粒子探测
A、Eγ〉Eg,光子直接穿透半导体,无电子()空穴对的产生B、Eγ〈Eg,光子直接穿透半导体,无电子()空穴对的产生C、Eγ〉Eg,光子被半导体吸收,产生电子()空穴对D、Eγ〈Eg,光子被半导体吸收,产生电子()空穴对正确答案:Eγ〉Eg,光子被半导体吸收,产生电子()空穴对 点击查看答案进入小程序搜题...
已知GaAs 材料的带隙Eg=1.43eV,而InGaAs的带隙Eg=0.96eV,分别求它们的激光发射波长。 Eg=hv=hc/波长、所以波长=hc/Eg=1.24/Eg
各位大大: ? ?? ? 我是电化学方面的小白,最近做了一点电化学的测试,看到有说带隙值Eg可以通过紫外吸收光谱来计算的,Eg = 1240/λonset,这个λonset是指紫外吸收光谱的哪个位置?好像也不是最大吸收,真心求教! 展开 0评论 +关注 共2个回答 老街后街,化学工艺工程师 2019-01-14回答 切线与x轴的交点吧...