1)从器件面积上讲,eFuse 的 cell 的面积更大,所以仅仅有小容量的器件可以考虑。当然如果需要大容量的,也可以多个 eFuse Macro 拼接,但是这意味着芯片面积的增加,成本也会增加;anti-Fuse的 cell 面积很小,所有相对来讲,可以提供更大容量的 Macro 可供使用。 2)功耗,与eFuse 相比,Antifuse 在未编程状态下消耗...
安全性,Antifuse 比eFuse 的安全性更好,在显微镜下也无法区别编程位和未编程位,因此无法读取编程数据。在多晶硅栅CMOS 工艺中,多晶硅eFuse 应用广泛,EM 发生在硅化物层。然而在MOSFET 工艺中,用high-k 材料做金属栅极( HKMG ), 没有多晶硅层可用作eFuse, 因此改用金属层作eFuse。不论哪种eFuse 在显微镜下都...
1)从器件面积上讲,eFuse 的 cell 的面积更大,所以仅仅有小容量的器件可以考虑。当然如果需要大容量的,也可以多个 eFuse Macro 拼接,但是这意味着芯片面积的增加,成本也会增加;anti-Fuse的 cell 面积很小,所有相对来讲,可以提供更大容量的 Macro 可供使用。 2)功耗,与eFuse 相比,Antifuse 在未编程状态下消耗...
1)从器件面积上讲,eFuse 的 cell 的面积更大,所以仅仅有小容量的器件可以考虑。当然如果需要大容量的,也可以多个 eFuse Macro 拼接,但是这意味着芯片面积的增加,成本也会增加;anti-Fuse的 cell 面积很小,所有相对来讲,可以提供更大容量的 Macro 可供使用。 2)功耗,与eFuse 相比,Antifuse 在未编程状态下消耗...
| 特性 | eFuse | AntiFuse | |---|---|---| | 物理原理 | 熔断金属线形成开路 | 击穿绝缘层形成短路 | | 初始逻辑状态 | 全“1” | 全“0” | | 安全性 | 较低(可通过显微镜观察熔断痕迹) | 较高(编程后无明显物理变化) | | 存储容量 | 较小(通常≤512位) | 较大(...
3)安全性,Antifuse 比eFuse 的安全性更好,在显微镜下也无法区别编程位和未编程位,因此无法读取编程数据。在多晶硅栅CMOS 工艺中,多晶硅eFuse 应用广泛,EM 发生在硅化物层。然而在MOSFET 工艺中,用high-k 材料做金属栅极( HKMG ), 没有多晶硅层可用作eFuse, 因此改用金属层作eFuse。不论哪种eFuse 在显微镜...
随着需求的增多以及技术的提升,Anti-Fuse应运而生。Anti-Fuse 由两个晶体管组成,一个是编程晶体管,另一个是读或选择晶体管,可随着工艺几何尺寸的缩小等比例缩小,因此随着Macro 尺寸变大,Antifuse 的密度可以同比例增加,其密度可以达到百兆比特级。 来源:http://archive。eettaiwan。com/www。eettaiwan。com/emag/...
Antifuse 跟eFuse 的最大差别在编程机制、安全性、功耗: 编程机制:Antifuse, 在薄栅氧上施加高电压,通过雪崩击穿使晶体管的栅极和源极短路来编程。eFuse, 通过使用I/O 电压,向金属条或多晶硅条施加高密度电流来编程,eFuse 中的低电阻金属由于高密度电流通过窄金属或多晶硅而被电迁移熔断,在编程期间,eFuse 的两...
Antifuse 跟eFuse 的最大差别在功耗、安全性、编程机制。编程机制上，Antifuse, 在薄栅氧上施加高电压，通过雪崩击穿使晶体管的栅极和源极短路来编程。eFuse, 通过使用I/O 电压，向金属条或多晶硅条施加高密度电流来编程。eFuse 中的低电阻金属由于高密度电流通过窄金属或多晶硅而被电迁移熔断，在编程...
PROM 中的每个bit 由熔丝 ( fuse ) 或反熔丝 ( antifuse ) 锁定,根据采用的技术不同,可以在晶圆、测试或系统级进行编程。典型的PROM的所有位都为“ 1”。在编程过程中烧断熔丝位(Burning a fuse bit)会使该位读为“ 0”。存储器在制造后可以通过熔断保险丝(blowing the fuses)进行一次编程,这是不可逆的...