但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM,我们都叫它flash。 flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位,一次简化了电路,数据密度更高,降低了成本。上M的rom一般都是flash。 flash分为nor flash和nand flash。 nor flash数据线和地址线分开,可以实现ram一样的随机寻址功能,可以读取任何一个...
由于nand flash引脚上复用,因此读取速度比nor flash慢一点,但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单,因此数据密度大,体积小,成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。 使用寿命上,nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块,从而...
存储器分为两大类:RAM和ROM,RAM就不讲了,主要讨论ROM。ROM最初是不能编程的,出厂什么内容就永远什么内容,不灵活。后来出现了PROM,可以自己写入一次,要是写错了,只能换一片...
性能比较flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64...
NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。NOR采用的并行接口，其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍，其程序可以直接在NOR里面运行。但是它的擦除速度比较慢，集成度低，成本高的。现在的NOR的容量一般在2M左右，一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有就是在ARM9的开发板上可以看见。...
存储器入门介绍和选型(ROM SRAM DRAM Nor Nand Flash EEPROM MRAM FRAM)
但是为了将其与以字节为单位擦除和写入的普通EEPROM区别开来,我们将其称为闪存。 闪存的改进之处在于,擦除不再以字节为单位,而是以块为单位,这一次可以简化电路,增加数据密度,并降低成本。 M上的rom通常是flash。 如W25Q128JVSIQ:flash分为nor flash和nand flash。
FLASH属于广义的EEPROM,因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM,我们都叫它flash。 flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位,一次简化了电路,数据密度更高,降低了成本。上M的rom一般都是flash。如W25Q128JVSIQ: ...
FLASH属于广义的EEPROM,因为它也是电擦除的ROM。但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM,我们都叫它flash。 flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位,一次简化了电路,数据密度更高,降低了成本。上M的rom一般都是flash。如W25Q128JVSIQ: ...