易失性存储器(Volatile Memory)和非易失性存储器(Non-Volatile Memory)是两大类存储器,它们的主要区别在于断电后数据的保存能力。 易失性存储器(如DRAM和SRAM)虽然速度快,但断电后数据丢失,适用于临时数据存储场景,例如计算机的主内存和缓存。 非易失性存储器(如NAND Flash、NOR Flash、EEPROM、MRAM)则能在断电...
由于nandflash引脚上复用,因此读取速度比nor flash慢一点,但是擦除和写入速度比nor flash快很多。nand flash内部电路更简单,因此数据密度大,体积小,成本也低。因此大容量的flash都是nand型的。小容量的2～12M的flash多是nor型的。 使用寿命上,nand flash的擦除次数是nor的数倍。而且nand flash可以标记坏块,从而使...
它们的主要区别在于访问方式。NAND Flash的数据、地址和数据线都是共享的,需要通过软件控制读取时序,因此不能像NOR Flash或内存那样进行随机访问。这意味着NAND Flash不能直接用作启动设备。然而,NAND Flash具有较高的存储密度和更长的寿命,通常用于存储大量数据,如文件系统和操作系统。NOR Flash有自己的地址线和数据线...
(Nandflash按块擦除,按页读取,也不Flash没有页),例如:W29N01HVSINA因为nand flash引脚是多路复用的,所以读取速度比nor flash慢一点,但是擦除和写入速度比闪存也不快。 nand flash的内部电路更简单,因此数据密度大,体积小,成本低。 因此,大容量闪光灯都是nand类型的。 大多数小容量2-12M闪存都是nor型的。 在...
SRAM/DRAM,PROM/EPROM/EEPROM,NOR/NAND FLASH区别 RAM / ROM 存储器 ROM和RAM指的都是半导体存储器,ROM是Read Only Memory的缩写,RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据,而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据,典型的RAM就是计算机的内存。
flash属于广义的EEPROM,由于它也是电擦除的rom。 可是为了差别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM。我们都叫它flash。 flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位。 flash分为nor flash和nand flash。 norflash数据线和地址线分开,能够实现ram一样的随机寻址功能。
但是为了区别于一般的按字节为单位的擦写的EEPROM,我们都叫它flash。 flash做的改进就是擦除时不再以字节为单位,而是以块为单位,一次简化了电路,数据密度更高,降低了成本(所以EEPROM比较贵)。上M的rom一般都是flash。 flash分为nor flash和nand flash。 nor flash数据线和地址线分开,可以实现ram一样的随机寻址...
NOR Flash支持擦写次数十万次。NAND Flash擦写次数，一百万次，因为尺寸比NOR小八倍，因此在给定时间内删除...
性能比较flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64...