单就这个问题回答，是不行的，但有些地方是可以替换的。这里就要提到Flash与eeprom的区别了：1、擦写次数：eeprom比flash多很多，一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次（现在有些已经到了上万次），eeprom的数据比这个大，但普通eeprom也是有限制的，若要“无限制”，可以选择FRAM，它虽然读一次和...
FLASH 即闪存。它是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位(注意:NOR Flash 为字节存储。),区块大小一般为256KB到20MB。 EEPROM 即电子可擦除只读存储器。EEPROM与闪存不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个...
单片机的flash和eeprom是相互独立的，有的单片机 内部还带有 扩展RAM，一般地址都是从0000H开始，flash 为程序存储器，RAM 是数据存储器，eeprom 也是数据存储器。读取的方法不同。
EEPROM：属于外存 SRAM：就是RAM Flash和EEPROM可以存储用户程序和数据 RAM是程序运行的时候，动态加载程序和数据。每个存储器的作用是不同的，建议你看一下微机原理。
多次读取不会像写入那样显著影响 Flash/EEPROM 的寿命,因为 Flash 和 EEPROM 是非易失性存储器(NVM),设计上是为了在断电后保存数据。 写入和擦除操作需要使用高电压改变存储单元的电荷状态,而读取只是探测单元的状态,不涉及电荷的变化。 因此多次读取不会直接损害存储单元的结构或缩短寿命。
最近看一款移动设备的电路，请教一下同时使用的64kbit的eeprom和16G的EMMC flash是为什么啊。只用一个EMMC...
带eeprom时是可以在编译时将eeprom数据预设好,下载时一并烧录的. 用flash模拟eeprom不知道是否也可以...
EEPROM：频繁的擦写操作，如存储计数器、传感器数据等 FLASH：大容量、高速读写，如存储程序代码和固件等...
您好,我现在想用28335的flash来模拟EEPROM,实际的运行情况是在控制器进行实验时不能连接仿真器,想在进行实验时烧写进对用flash模拟的EEPROM写的程序来记录相关实验数据,而在实验结束之后,再烧写进一个在flash模拟的EEPROM中读取数据的程序,来读取上次实验数据的程序。
• FlASH和EEPROM的使用??? 3246 • STM32F0 FLASH模拟EEPROM flash的操作需要比较长的等待时间 4830 提交评论 1个回答 答案对人有帮助,有参考价值 0 你设置RDP-LEVEL2了,肯定是没办法从外部对片内存储器做访问了。你基于自己的用户程序对其进行读写可以,前提是你没有开启写保护,否则就只能看看读读...