易失性存储器(如DRAM和SRAM)虽然速度快,但断电后数据丢失,适用于临时数据存储场景,例如计算机的主内存和缓存。 非易失性存储器(如NAND Flash、NOR Flash、EEPROM、MRAM)则能在断电后保存数据,适用于长时间存储的重要数据,如固态硬盘、嵌入式系统和BIOS。 1 易失性存储器(Volatile Memory) 易失性存储器在电源切断...
单就这个问题回答，是不行的，但有些地方是可以替换的。这里就要提到Flash与eeprom的区别了：1、擦写次数：eeprom比flash多很多，一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次（现在有些已经到了上万次），eeprom的数据比这个大，但普通eeprom也是有限制的，若要“无限制”，可以选择FRAM，它虽然读一次和...
因此,Flash/EEPROM 的读取次数通常是无限的或可以达到数百万、数千万次。 2、影响读取次数的因素 尽管理论上读取不会影响寿命,但以下情况可能间接产生影响: 读取扰动(Read Disturbance):如果在高温环境下频繁对某些单元进行连续读取,可能会影响附近未擦除单元的电荷分布(尤其是 Flash 中的 NAND 架构),导致“读取扰动...
带eeprom时是可以在编译时将eeprom数据预设好,下载时一并烧录的. 用flash模拟eeprom不知道是否也可以...
flash rom和EEPROM是有区别的，前者只能用来存储程序的，其中可以存放一些数据表格，可以读出来，但不能改。后者是用来保存数据的，可以在运行程序时随时读/写的，有的单片机是没有EEPROM的。凡是STC的单片机都有的。如果内部没有的，可以在外部配串行的EEPROM，如AT24C02，等等。
• STM32F0 FLASH模拟EEPROM flash的操作需要比较长的等待时间 4951 提交评论 1个回答 答案对人有帮助,有参考价值 0 你设置RDP-LEVEL2了,肯定是没办法从外部对片内存储器做访问了。你基于自己的用户程序对其进行读写可以,前提是你没有开启写保护,否则就只能看看读读了。RDP2使用要慎重,一般来讲就是决定...
扩展为数据存储器没有问题，如存放数据、数据表什么的，扩展程序存储器不行，当然变通的办法是，扩展并口RAM+24C256，并口RAM扩展成外部程序存储器+外部数据存储器，需要执行的程序段先从24C256读写到外部RAM，再执行该段程序。
它那个flash不好使，你还是外扩一个吧。
EEPROM因其随机存储能力，特别适用于需要频繁修改少量数据的场景，比如保存IP地址。只需调整特定位置的数据，无需改动其他部分。相比之下，Flash存储器具有更大的容量，适合大量数据存储需求。然而，当需要对Flash中的特定数据进行修改时，操作过程会变得复杂。例如，若要更改IP地址，通常需要执行以下步骤：首先...