EEL激光器，全称为Edge-Emitting Laser，是一种边发射激光器，也被称为Edge-Emitting Diode (EED) 或 Fabry-Perot Laser Diode。这种激光器的结构设计使其能够从激光器的边缘发射激光光束。EEL激光器的基本原理：结构： EEL激光器通常采用半导体材料，如GaAs（镓砷化物）等。其结构包括有源
EEL激光器包括FP激光器和DFB激光器两种主要类型。FP激光器以激光二极管为主体，其反射镜为激光芯片末端的平面裂开表面，适用于低数据速率短距离传输，传输距离通常不超过20km，速率限制在1.25G以内。而DFB激光二极管则是在腔内融入光栅结构，实现激光在腔内的多次反射，主要应用于高数据速率的长距离传输。► 技术优越...
在激光雷达解决方案中,EEL激光器是常用的波长之一。此外,EEL、VCSEL和MOPA光纤激光器是当前三种主流激光器。在机械扫描、棱镜旋转扫描和MEMES扫描系统中,EEL覆盖了长中短距的各种应用,是最理想的光源。 三、EEL的未来发展前景 EEL激光器具有高发光功率密度、高...
此外,值得注意的是,半导体激光器的脉宽可以通过调整激光器的驱动电流和工作温度等参数来进行一定程度的调控。这使得半导体激光器在实际应用中具有更大的灵活性和可调性。 综上所述,EEL激光器的功率和半导体激光器的脉宽是评估这两种激光器性能的重要指标。了解这些指标的...
EEL的工作原理基于光电效应和受激辐射，主要过程如下：1. 载流子注入 通过施加正向偏压，电子从N型区注入有源层，空穴从P型区注入有源层。在有源层中，电子与空穴复合，产生光子。这一过程类似于发光二极管（LED），但EEL要实现的是激光而非普通光。2. 受激辐射和光放大 在有源层中产生的光子会与其他处于激发...
根据谐振腔制造工艺的不同,半导体激光芯片分为 边发射激光芯片(EEL)和垂直腔面发射激光芯片(VCSEL)两大类,其具体结构差异如图1所示。相比于垂直腔面发射激光器,边发射半导体激光器的技术发展更为成熟,具有…
EEL（边发射激光器）与VCSEL（垂直腔面发射激光器）是半导体激光器中的两种不同类型。它们在多个方面，诸如结构、发射方式、制造成本以及应用领域，都展现出显著差异。在结构上，EEL是边缘发射激光器，其光线传播方向沿芯片边缘。而VCSEL，作为一种垂直表面出光的创新激光器，其光线垂直于芯片表面发射。这种独特的垂直...
EEL激光器得生产流程也是个细致入微得工艺,它需要在材料选择、外延生长、器件加工、测试封装等各个环节中;保持高精度以及高一致性。材料得选择至关重要。EEL激光器得核心材料通常为IIIV族半导体材料如砷化镓(GaAs)或磷化铟(InP)。这些材料具有优异得光电性能,是制造高效激光器的基础。在生产过程中,通常使用外延生长...
1. 区别:边发射激光器是沿平行于衬底表面发出,如图a所示,比如DFB、DBR、FB激光器都属于EEL激光器,面发射激光器出光方向垂直于衬底表面,如图b所示。 2. 实现VCSEL激光器的三种典型结构。 3. VCSEL优点 具有较小的远场发散角,发射光束窄且圆,易与光纤进行耦合。 阈值电流低。 调制频率高。 在很宽的温度和电流...
大多数半导体激光器点亮后,我们经常能看到的都是椭圆的光斑,这是因为通常用的半导体激光器是通过边发射的结构发射激光,这类半导体激光器被称为EEL激光器,承当着大部分的小尺寸、低功率激光的应用。 半导体激光器主要分为两类,边发射(EEL)和垂直发射(VCSEL),它们的区别如下: ...