电子束对样品的撞击会产生样品元素的特性X-射线, EDX分析可用于确定单点的元素成份,或者绘制出二维或三维的成像区域元素的成份分布或称映图(Mapping),或者一维成份分布(线扫描,EDS Line-scanning)。 TEM TALOS EDS 除了快速、精确且量化的 EDS 分析可揭示纳米级细节外且有更短的化学成分数据生成时间。 光譜能量...
部分荧光产额的计算公式为ωjk = ωjΓjk,其中ωj是外壳j的荧光产额,Γjk是电子从外壳k跃迁到外壳j的辐射转变概率,也称为线分数(line fraction)。 对于L、M和N子壳,(1 + TCK)因子考虑了由于其他子壳中产生的空位的Coster-Kronig格跃迁而导致的X射线增加。背散射因数R用于计算由于电子背散射造成的X射线强度...
部分荧光产额的计算公式为ωjk = ωjΓjk,其中ωj是外壳j的荧光产额,Γjk是电子从外壳k跃迁到外壳j的辐射转变概率,也称为线分数(line fraction)。 对于L、M和N子壳,(1 + TCK)因子考虑了由于其他子壳中产生的空位的Coster-Kronig格跃迁而导致的X射线增加。背散射因数R用于计算由于电子背散射造成的X射线强度...
部分荧光产额的计算公式为ωjk = ωjΓjk,其中ωj是外壳j的荧光产额,Γjk是电子从外壳k跃迁到外壳j的辐射转变概率,也称为线分数(line fraction)。 对于L、M和N子壳,(1 + TCK)因子考虑了由于其他子壳中产生的空位的Coster-Kronig格跃迁而导致的X射线增加。背散射因数R用于计算由于电子背散射造成的X射线强度...
EDS analysis can be used to determine the elemental composition of a single point, generate two-dimensional/three-dimensional imaging of element distribution through mapping, or perform one-dimensional elemental distribution analysis through EDS line scanning. Scope of Application: elemental analysis of ...
Scanning, 35 (2013) 3 无标准样品定量分析 当在SEM和EPMA上能获取明确的标准样品时,以上所讨论的内容对于WDS和EDS都同样适用。但对于EDS而言,许多分析都是在用户在不直接测量标准的情况下进行的。从用户的角度来看,这称为无标准定量(广泛地应用),无需获取标准样品的计数。 无标准定量主要有四种方法:(i) 第...
一般Mapping导航器里的Linescan的线扫描分析只是相对量的趋势变化.而在Point&ID导航器里借助Lines&Grids软件就可以轻松实现重量百分比或原子百分比的线分布分析. 1:Lines&Grids中的工具任意拉一条线,并划分为任意指定的点,能谱将逐点采集谱图 2:所有点的谱图定量结果都存储下来 3:线性峰型选项中可对任意元素的...
扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope,简称SEM)主要是利用二次电子信号成像来观察样品表面形态,具有较高的放大倍数,分辨率高和景深大的特点。如在设备上加装能量分散X光谱仪(Energy Dispersive Spectrometer,简称EDS)时,可对样品表面同时进行微区之材料分析,包括定性、半定量之成分分析以及特定区域之Point & ID、L...
一般Mapping 导航器里的Linescan 的线扫描分析只是相对量的趋势 变化. 而在Point&ID 导航器里借助Lines & Grids 软件就可以轻松 实现重量百分比或原子百分比的线分布分析.EDS能谱线扫描定量分析EDS能谱线扫描定量分析能谱线扫描的定量问题问题:请问做能谱分析的时候,如果做线扫描通常纵坐标给出的只是简单的强度计数...
D.E. Newbury, N.W.M. RitchieIs scanning electron microscopy/energy dispersive X-ray spectrometry (SEM/EDS) quantitative?Scanning, 35 (2013) 3无标准样品定量分析 当在SEM和EPMA上能获取明确的标准样品时,以上所讨论的内容对于WDS和EDS都同样适用。但对于EDS而言,许多分析都是在用户在不直接测量标准的情况...