因此,对于能量为7.477 keV的入射Ni Kα X射线,将产生1968个电子-空穴对,而对于1.487 keV的Al Kα X射线,将产生391个电子-空穴对。 为了最大限度地降低电子噪声,必须对探测器进行冷却。硅(锂)探测器被冷却到液氮温度,并连接到需要定期填充的杜瓦瓶上。SDD可以在更...
数据处理环节警惕峰重叠干扰,特别是Al-Kα(1.486keV)与磷元素L系峰(2.017keV)的谱峰分离度,当能谱分辨率低于130eV时需启用峰剥离算法。 某半导体企业案例显示,采用优化检测流程后,氧化铝薄膜的Al/O原子比检测重复性从±8.2%提升至±1.5%。关键改进包括:建立恒温恒湿检测环境(23±0.5℃,45%±3%RH),开发氧化铝...
因此,对于能量为7.477 keV的入射Ni Kα X射线,将产生1968个电子-空穴对,而对于1.487 keV的Al Kα X射线,将产生391个电子-空穴对。 为了最大限度地降低电子噪声,必须对探测器进行冷却。硅(锂)探测器被冷却到液氮温度,并连接到需要定期填充的杜瓦瓶上。SDD可以在更高的温度(-50°C)下运行,并采用热电(珀耳帖...
解决方法是增加大加速电压(该元素临界激发能的2-3倍),激发某些元素在其他线系的能谱峰:如Al(K1.49)和Br(L1.48)接近,可以增大电压至30kV,通过Br(K11.9)的能谱峰判定是否有Br。 2. EDS采集能谱时,有时候会遇到能谱出峰很慢或无法出峰的情况,是什么原因导致的? EDS采集能谱时,会遇到能谱出峰很慢或无法...
建议每月进行标准样品检测,当Al-Kα(1.49keV)峰计数率下降超过30%时需联系厂商维护。液氮维护应保持每周添加频率,避免探测器性能波动。 当前最新进展显示,硅漂移探测器(SDD)可将Pd-L系检测限降低至0.3wt%,较传统Si-Li探测器提升约5倍。但实际应用中仍需注意,当Pd与其他铂族元素共存时,建议结合EELS或XPS进行补充...
原子示意图,显示原子核被 K、L 和 M 电子壳层包围。K 壳层最多可容纳 2 个电子;L 壳层有三个子壳层,最多可容纳 8 个电子;M 壳层有 5 个子壳层,最多可容纳 18 个电子。 特征X射线的产生 特征X 射线的产生分为两个阶段:电离和弛豫。首先,原子内壳层中的一个电子被来自主束的电子移除,因此原子被电离并...
10. 铝(Al):Al Kα峰位于1.49 keV左右。 需要注意的是,EDS峰位置可能会受到一些因素的影响,如样品电荷积聚和X射线漂移等。因此,在进行EDS元素分析时,需要进行标定和校正,以确保所得到的峰位置准确可靠。 总结起来,EDS峰位置是一种用于确定样品中各元素存在和相对浓度的分析技术,不同元素对应着不同能量的特征X...
在Si 光谱中,能量最低的 X 射线线是 Si Lα 线;1.74 keV 处的线是 Si Kα 线,而 ~1.83 keV 处的线是 Si Kβ 线。 对于每种元素,K 壳层中的电子具有最高的电离能,而外壳层中电子的电离能较低。电离 K 壳层需要更多的能量,因此每种元素的 K 族 X 射线线的能量都大于 L 族的能量,而 L 族的...
图2. 7 kV 下铝-铜-锂合金 AA2099-T8 的复合 X 射线图(Cu Lα EDS、Al Lα SXES、Li Kα SXES)。白色箭头指向 T1 沉淀。C.M. MacRae, An examination of the composition and microstructure of coarse intermetallic particles in AA2099-T8 Including Li Detection. Microsc Microanal, 24 (2018)...
2.Kβ峰：相对于Kα峰，能量稍高一些。Kβ峰对应的元素有：钴（Co），铁（Fe），镍（Ni），钼（Mo），铌（Nb）等。3.Lα峰：位于较高能量的位置，通常代表元素的L壳层跃迁。Lα峰对应的元素有：铜（Cu），锌（Zn），锰（Mn），铝（Al），银（Ag），锡（Sn），铀（U）等。4.Lβ峰：相对于Lα...